[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有主表面的半导体衬底；

形成于所述主表面之上并且具有n型杂质区和p型杂质区的晶体管形成区域；

布置在所述p型杂质区中的功能性n沟道晶体管；

布置在所述n型杂质区中的功能性p沟道晶体管；

在平面视图中设置在所述p型杂质区中的所述功能性n沟道晶体管的外围处的多个第一外围晶体管；以及

在平面视图中设置在所述n型杂质区中的所述功能性p沟道晶体管的外围处的多个第二外围晶体管；

其中将至少所述多个第一外围晶体管设置成使得外围n型栅极结构和外围p型栅极结构可以共存。

2.根据权利要求1所述半导体器件，

其中所述功能性n沟道晶体管和所述外围n型栅极结构包括镧作为n型绝缘膜，以及

其中所述功能性p沟道晶体管和所述外围p型栅极结构包括氧化铝膜作为p型绝缘膜。

3.根据权利要求1所述半导体器件，其中所述多个第一外围晶体管和所述多个第二外围晶体管被设置在n型开口区域和p型形成区域的内部，所述n型开口区域和p型形成区域被线性地形成，以在平面视图中排列成排。

4.根据权利要求1所述半导体器件，其中通过将所述多个第一外围晶体管和所述多个第二外围晶体管的相应阵列彼此连接所形成的直线在平面视图中以直角彼此相交。

5.根据权利要求1所述半导体器件，其中通过将所述多个第一外围晶体管和所述多个第二外围晶体管的相应阵列彼此连接所形成直线在平面视图中以锐角彼此相交。

6.根据权利要求1所述半导体器件，其中所述多个第一外围晶体管和所述多个第二外围晶体管的至少一些被布置成使得所述外围n型栅极结构和所述外围p型栅极结构在平面视图中可以彼此邻近。

7.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：

在半导体衬底的主表面之上形成n型杂质区和p型杂质区；

在所述p型杂质区中形成功能性n沟道晶体管；

在所述n型杂质区中形成功能性p沟道晶体管；

在平面视图中在所述p型杂质区中除所述功能性n沟道晶体管之外的区域中形成多个第一外围晶体管；以及

在平面视图中在所述n型杂质区中除所述功能性p沟道晶体管之外的区域中形成多个第二外围晶体管；

其中至少所述多个第一外围晶体管被形成为使得外围n型栅极结构和外围p型栅极结构可以共存。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中所述功能性n沟道晶体管和所述外围n型栅极结构包括镧作为n型绝缘膜，以及

其中所述功能性p沟道晶体管和所述外围p型栅极结构包括氧化铝膜作为p型绝缘膜。

9.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中所述p型杂质区被形成为使得其超过在形成所述n型杂质区和所述p型杂质区的步骤中的所述n型杂质区和所述p型杂质区的总和的55％；以及

其中形成n型开口区域，使得在其中在所述功能性n沟道晶体管和所述第一外围晶体管和第二外围晶体管中形成所述外围n型栅极结构的n型开口区域的面积可以占在形成所述第一外围晶体管和第二外围晶体管的步骤中的所述n型杂质区和所述p型杂质区的面积总和的55％或更少。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，在形成所述第一外围晶体管和第二外围晶体管的步骤中，根据平面视图中功能性n沟道晶体管形成区域的面积和平面视图中功能性p沟道晶体管形成区域的面积的数据与参考面积进行比较的结果来协调在其中形成所述外围n型栅极结构的所述n型开口区域在平面视图中的面积。

11.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述多个第一外围晶体管和所述多个第二外围晶体管形成在所述n型开口区域和所述p型形成区域的内部，所述n型开口区域和所述p型形成区域被线性地形成，以在平面视图中排列成排。

12.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中，通过将所述多个第一外围晶体管和所述多个第二外围晶体管的相应阵列彼此连接所形成的直线在平面视图中以直角彼此相交。