[发明专利]一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源

权利要求书

1.一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于包括半导体泵浦激光器（8）、合束器（1）、第一有源双包层光纤（2）、第一光隔离器（6）、光路盒（14）、温度可控加热盘（15）、第二有源双包层光纤（9）和光纤端帽（7），所述半导体泵浦激光器（8）的输出尾纤与合束器（1）的泵浦输入光纤（5）相连，合束器（1）的输出无源双包层光纤（3）与第一有源双包层光纤（2）一端相连，第一有源双包层光纤（2）另一端与第一光隔离器（6）输入端相连；第一有源双包层光纤（2）位于所述光路盒（14）中，光路盒（14）置于所述温度可控加热盘（15）上，第一光隔离器（6）输出端熔接有光纤端帽（7）相连；合束器（1）的输入无源双包层光纤（4）与第二有源双包层光纤（9）一端相连，第二有源双包层光纤（9）另一端与第二光隔离器（10）输入端相连，第二光隔离器（10）输出端作为ASE光输出端。

2.如权利要求1所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：第一有源双包层光纤（2）与第二有源双包层光纤（9）的纤芯直径为7～30μm，内包层直径为125～250μm，纤芯数值孔径为0.06～0.20，对800～1000nm泵浦光吸收系数大于0.5dB/m；第一有源双包层光纤（2）长度为2～15米，所述第二有源双包层光纤（9）为未泵浦状态的，长度为0.2～5米。

3.如权利要求2所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：第一有源双包层光纤（2）的长度大于第二有源双包层光纤（9）的长度。

4.如权利要求1所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：所述合束器（1）类型为（n+1）×1，n≥1；所述合束器（1）的输入无源双包层光纤（4）与输出无源双包层光纤（3）纤芯直径为7～30μm，内包层直径为125～250μm；所述合束器（1）的泵浦输入光纤（5）纤芯直径为105～400μm，包层直径为125～440μm，数值孔径为0.12～0.22。

5.如权利要求1所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：所述半导体泵浦激光器（8）的泵浦波长为800～1000nm，输出功率大于0.5W，输出尾纤纤芯直径为105～400μm，包层直径为125～440μm，数值孔径为0.12～0.22。

6.如权利要求1所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：所述YDF（2）盘成光纤圈，置于光路盒（14）中。

7.如权利要求1所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：所述光纤端帽（7）包括无源单包层光纤、玻璃毛细管和多模光纤，无源单包层光纤与多模光纤的一端熔接，多模光纤位于玻璃毛细管中，多模光纤的另一端光纤端面研磨成8°倾斜角，并镀增透膜，所述增透膜对1064nm波段ASE光的透射率大于95%；所述多模光纤纤芯直径为50～400μm，包层直径为125～440μm，数值孔径为0.12～0.22，其使用长度为2～100mm。

8.如权利要求1所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：所述合束器（1）、第一光隔离器（6）、光纤端帽（7）、半导体泵浦激光器（8）、第二光隔离器（10）以及第一有源双包层光纤（2）与第二有源双包层光纤（9）之间的连接采用熔接方式。

9.如权利要求1~8任一项所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：第一有源双包层光纤（2）与第二有源双包层光纤（9）为掺镱有源双包层光纤（2）。

10.如权利要求1~8任一项所述的一种1064nm波段的高功率宽带ASE光源，其特征在于：所述半导体泵浦激光器的泵浦波长为800~1100nm。