[发明专利]一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法

权利要求书

1.一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体、氮化硅层和隔离层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述氮化硅层附着在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁，所述隔离层附着于所述氮化硅层之上，朝向所述收容空间内的本体底座。

2.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚为石英或陶瓷坩埚。

3.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述隔离层选自纯度为99.90％～99.99％的石英玻璃、氧化硅膜和氮化硅膜中的一种或几种。

4.如权利要求3所述的坩埚，其特征在于，所述石英玻璃为石英玻璃片或石英玻璃板，其厚度为0.01～10mm。

5.如权利要求3所述的坩埚，其特征在于，所述氧化硅和氮化硅为致密的薄膜，所述薄膜厚度为10nm～10um，致密度为99.0％～99.9％。

6.一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚的制备方法，包括以下步骤：取一喷涂好氮化硅层的石英或陶瓷坩埚，在坩埚本体底座的氮化硅层之上设置一隔离层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述隔离层选自纯度为99.90％～99.99％的石英玻璃、氧化硅膜和氮化硅膜中的一种或几种。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述石英玻璃为石英玻璃片或石英玻璃板，其厚度为0.01～10mm。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述氧化硅和氮化硅为致密的薄膜，所述薄膜厚度为10nm～10um，致密度为99.0％～99.9％。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜采用化学气相沉积方法沉积，所述氧化硅薄膜采用高温氧化生长法获得。