[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法。

【背景技术】

薄膜晶体管(TFT)基板在灌液、贴合、减薄后，进行后制程加工的过程中，由于搬运、切割、擦拭、清洗、检测、组装等工序中会多次对基板进行处理操作，操作过程中容易产生静电。

目前，业内通常在TFT基板在后制程加工时使用离子风静电消除器等一系列外置的静电防护措施来清除操作过程中产生的静电。然而，上述防静电处理需要设置额外的工序，且同时不能随时消除产生的静电，从而不能有效的消除静电。

【发明内容】

鉴于上述状况，有必要提供一种可有效消除静电的薄膜晶体管基板及其制备方法。

一种薄膜晶体管基板，包括：

基底；

保护层，层叠于所述基底上，所述保护层的材料为二氧化硅；

导电层，层叠于所述保护层上，所述导电层的材料为氧化铟锡。

进一步地，所述保护层的厚度为15纳米～35纳米。

进一步地，所述导电层的厚度为12纳米～19纳米。

进一步地，所述氧化铟锡中In₂O₃与SnO₂的质量比为90∶10。

一种薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基底上形成保护层，所述保护层的材料为二氧化硅；

在保护层上形成导电层，所述导电层的材料为氧化铟锡。

进一步地，所述保护层的厚度为15纳米～35纳米。

进一步地，所述导电层的厚度为12纳米～19纳米。

进一步地，所述基底为经过灌液、贴合、减薄处理形成的薄膜晶体管基底。

进一步地，所述保护层由真空磁控溅射形成，真空磁控溅射保护层的工艺参数为：基底加热温度为60℃～80℃，真空度为2.5×10^-1Pa～3.5×10^-1Pa，总气压为0.2Pa～0.4Pa，溅射功率为2500W～3500W。

进一步地，所述导电层由真空磁控溅射形成，真空磁控溅射导电层的工艺参数为：基底加热温度为60℃～80℃，真空度为2.5×10^-1Pa～3.5×10^-1Pa，总气压为0.2Pa～0.4Pa，溅射功率为2500W～3500W。

上述薄膜晶体管基板及其制备方法通过在基底上设置保护层及导电层，降低基底表面电阻，控制已产生静电的消散，加速静电的泄漏，使产生的静电迅速从基板表面或通过内部泄漏，防止静电的聚集，达到防静电的目的；保护层可以增加基底表面电阻的稳定性，同时增加导电层与基底之间的结合力。

【附图说明】

图1为一实施方式的薄膜晶体管基板的结构示意图；

图2为一实施方式的薄膜晶体管基板的制备方法的流程图。

【具体实施方式】

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

请参阅图1，一实施方式的薄膜晶体管基板100包括依次层叠的基底10、保护层30及导电层50。

基底10为经过灌液、贴合、减薄处理形成的TFT基底。

保护层30层叠于基底10上。保护层30的材料为二氧化硅(SiO₂)。保护层30的厚度为15纳米～35纳米，优选为20纳米。

导电层50层叠于保护层30上。导电层50的材料为氧化铟锡(ITO，In₂O₃∶SnO₂)，其中In₂O₃与SnO₂的质量比为90∶10。导电层50的厚度为12纳米～19纳米，优选为15纳米。