[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法无效
| 申请号： | 201210022492.5 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103247605A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 易伟华;杨会良;张芙嘉;刘文高 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：
基底；
保护层，层叠于所述基底上，所述保护层的材料为二氧化硅；
导电层，层叠于所述保护层上，所述导电层的材料为氧化铟锡。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述保护层的厚度为15纳米～35纳米。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述导电层的厚度为12纳米～19纳米。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述氧化铟锡中In2O3与SnO2的质量比为90∶10。
5.一种薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底上形成保护层，所述保护层的材料为二氧化硅；
在保护层上形成导电层，所述导电层的材料为氧化铟锡。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为15纳米～35纳米。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述导电层的厚度为12纳米～19纳米。
8.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述基底为经过灌液、贴合、减薄处理形成的薄膜晶体管基底。
9.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述保护层由真空磁控溅射形成，真空磁控溅射保护层的工艺参数为：基底加热温度为60℃～80℃，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×～10-1Pa，总气压为0.2Pa～0.4Pa，溅射功率为2500W～3500W。
10.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板的制备方法，其特征在于，所述导电层由真空磁控溅射形成，真空磁控溅射导电层的工艺参数为：基底加热温度为60℃～80℃，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.2Pa～0.4Pa，溅射功率为2500W～3500W。
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