[发明专利]振动片、振子、振荡器以及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及振动片、具有该振动片的振子、振荡器以及电子设备。

背景技术

以往，作为振动片，公知有如下的压电振动片(以下称作振动片)，该压电振动片包含基部和从基部延伸的臂部、以及被臂部的长度方向的第1区间支承的激励部，激励部具有压电膜和夹着压电膜的一对电极膜(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2009-239860号公报

上述专利文献1的振动片是如下结构：激励部(以下称作激励电极)的压电膜进行伸缩，由此使臂部(以下称作振动臂)在厚度方向上弯曲振动。

相比于振动臂单体的状态，上述那样的振动片的Q值(表现振动状态的无因次数，且该值越大，表示振动越稳定)由于设置激励电极而降低。

在上述那样的振动片的激励电极中，作为夹着压电膜的一对电极膜，大多使用Ti(钛)/Au(金)的膜(在基底层中层叠有Ti、在上层中层叠有Au的膜)。

但是，根据发明人的分析，在激励电极的一对电极膜使用Ti/Au的结构中，存在Q值的下降程度较大的问题。

发明内容

本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，可作为以下方式或应用例来实现。

[应用例1]本应用例的振动片的特征在于，该振动片具有：基材，其具有基部、和从所述基部延伸的振动臂；第1电极，其设置在所述振动臂上；第2电极，其设置在所述第1电极的上方；以及压电体，其配置在所述第1电极和所述第2电极之间，所述第1电极和所述第2电极中的至少一方的材料采用了ITO。

由此，振动片在设置在振动臂上的第1电极和第2电极(相当于一对电极膜)的至少一方中采用了ITO(Indium Tin Oxide：在氧化铟中添加百分之几的氧化锡后的化合物)，因此能够利用ITO的特性来抑制Q值的降低，相对于使用Ti/Au的现有技术能够提高Q值。

这依据发明人根据基于实验的分析结果等而得到的见解。

[应用例2]在上述应用例的振动片中，优选在所述第1电极和所述压电体之间具有绝缘体。

由此，振动片在第1电极和压电体(相当于压电膜)之间具有绝缘体，因此由于绝缘体，例如压电体的极化时的取向性得到了提高等，进一步抑制Q值的降低，相对于使用Ti/Au的现有技术能够使Q值得到飞跃性提高。

另外，绝缘体优选为无定形(非晶质)状态。

[应用例3]在上述应用例2的振动片中，优选所述绝缘体的材料采用SiO₂。

由此，振动片在绝缘体中采用SiO₂(二氧化硅)，因此，利用SiO₂，例如使压电体的极化时的取向性得到提高等，进一步抑制Q值的降低，相对于使用Ti/Au的现有技术能够使Q值得到飞跃性提高。

[应用例4]在上述应用例的振动片中，优选所述压电体的材料采用ZnO。

由此，振动片在压电体中采用了ZnO(氧化锌)，因此由于其取向性较高而使施加电场时的伸缩性优异，能够使基材高效地进行弯曲振动。

[应用例5]在上述应用例的振动片中，优选所述基材的材料采用石英。

由此，振动片在基材中采用了石英，因此，由于石英的特性而使加工性优异，并且能够与周围的温度变化无关地进行稳定的振动。

[应用例6]在上述应用例的振动片中，优选所述基材的材料采用硅。

由此，振动片在基材中采用了硅，因此由于其特性，能够使与Q值相关的潜在性能(例如，基材单体中的Q值)与石英相比得到进一步提高。

[应用例7]本应用例的振子的特征在于，该振子具有：上述任意一个应用例所述的振动片；以及收纳所述振动片的封装。

由此，振子具有上述任意一个应用例所述的振动片；以及收纳所述振动片的封装，因此能够提供起到上述任意一个应用例所述的效果的振子。

[应用例8]本应用例的振荡器的特征在于，该振荡器具有：上述任意一个应用例所述的振动片；以及使所述振动片振荡的振荡电路。

由此，振荡器具有上述任意一个应用例所述的振动片；以及使所述振动片振荡的振荡电路，因此能够提供起到上述任意一个应用例所述的效果的振荡器。

[应用例9]本应用例的电子设备的特征在于，该电子设备具有上述任意一个应用例所述的振动片。

由此，电子设备具有上述任意一个应用例所述的振动片，因此能够提供起到上述任意一个应用例所述的效果的电子设备。

附图说明