[发明专利]大尺寸异型氟化钡闪烁晶体的制备方法无效
| 申请号： | 201210021980.4 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103243377A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 甄西合;任绍霞;刘建强;史达威;潘兴彦;张钦辉;葛云程 | 申请（专利权）人： | 北京首量科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 尺寸 异型 氟化钡 闪烁 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用改进的坩埚下降法生长大尺寸异型氟化钡闪烁晶体的技术，其特征在于直接使用异型石墨坩埚进行下降法氟化钡晶体生长，其具体步骤包括：（1）晶体生长原料的预处理：称取适量的BaF2和PbF2粉末（除氧剂）混合均匀后置于真空干燥炉内，200℃烘干12h；将烘干后的原料装入坩埚并置于晶体生长炉中，抽真空，加热至熔化后降温至室温；取出坩埚中结晶的原料，粉碎为氟化钡多晶料用于晶体生长。
2.（2）采用下降法直接生长出所需的异型BaF2晶体：首先根据实际外形及尺寸加工相应的异型高纯石墨坩埚；将BaF2多晶料装入异性坩埚中，放入下降炉内；开真空泵抽真空使炉体内部真空度达到10-3Pa以上；主要晶体生长参数如下：坩埚下降速度为1～4mm/h；固液界面附近轴向温度梯度约为20～30℃/cm；晶体生长结束后以5～50℃/h的速度冷却至室温，并取出晶体。
3.根据权利要求1所述大尺寸异型氟化钡晶体生长技术，其特征在于生长所需的异型石墨坩埚是根据实际形状、尺寸加工定制的。
4.根据权利要求1所述大尺寸异型氟化钡晶体生长技术，其特征在于在晶体生长的斜放肩（异型体侧面）过程中可保持较快的下降速率，为2-3mm/h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京首量科技有限公司，未经北京首量科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210021980.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
