[发明专利]阵列基板及制造方法、液晶面板和液晶显示器有效
| 申请号: | 201210021820.X | 申请日: | 2012-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN102629059A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
| 发明(设计)人: | 刘莎;王宝强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 制造 方法 液晶面板 液晶显示器 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术,尤其涉及一种阵列基板及制造方法、液晶面板和液晶显示器。
背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器,其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。TFT-LCD一般由阵列基板和彩膜基板对盒后在其间填充液晶层而制成。通过电场来驱动液晶分子的扭转,使光线选择性通过来呈现不同灰度的图像。驱动液晶分子扭转的电场在像素电极和公共电极之间形成。公共电极由公共电极线连通,并通过公共电极线输入公共电压;像素电极与数据线连通,并通过数据线输入工作电压。一般公共电压恒定不变,像素电极的工作电压由驱动信号序列控制大小,从而形成变化的电场。
现有技术提出了反转驱动技术,即采用适当的驱动信号序列使TFT-LCD的各像素单元的电场发生反转,从而使液晶分子的扭转方向交替变化。反转驱动方式可实现帧反转、行反转、列反转或点反转,其中点反转方式以显示画面均匀性更好,画面品质高,电路之间的耦合最小而逐渐成为各大厂商的首选方式。所谓点反转,就是对于某一像素单元,在画面显示一帧的时间内采用正电压(即工作电压高于公共电压),下一帧的时间则采用负电压(即工作电压低于公共电压)对该像素单元进行充电而实现正负电极交替;同时,在整个液晶面板中,同一帧的时间内各像素单元的电压极性与其上下左右的四个像素单元相反。现有技术为实现点反转,需要在同一帧的时间内不断反转数据线驱动各像素单元的工作电压,工作电压在高低电压之间的频繁地交替变化导致数据线驱动功耗增加,限制了大尺寸液晶显示面板的开发和应用。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及制造方法、液晶面板和液晶显示器,以降低实现反转驱动所需的驱动功耗。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供一种阵列基板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的栅线和数据线,以及公共电极线,所述栅线和数据线限定有多个像素单元;在所述像素单元中形成有两层透明导电膜和薄膜晶体管;所有像素单元分为第一像素单元和第二像素单元两种,且沿所述数据线方向所述第一像素单元和第二像素单元间隔排列;其中,在所述第一像素单元中,第一层透明导电膜与公共电极线电性连接,第二层透明导电膜与薄膜晶体管的漏电极电性连接;在所述第二像素单元中,第一层透明导电膜与薄膜晶体管的漏电极电性连接,第二层透明导电膜与公共电极线电性连接;各像素单元中的公共电极线电性连接。
一方面,提供一种阵列基板的制造方法,所述阵列基板包括第一像素单元和第二像素单元,所述方法包括:
在衬底基板上沉积透明导电材料,并通过构图工艺形成对应第一像素单元和第二像素单元的第一层透明导电膜的图案;其中,所述第一像素单元和第二像素单元沿所述数据线方向间隔排列;
在形成有第一层透明导电膜的衬底基板上制作第一层金属薄膜和第一层半导体薄膜,并通过构图工艺形成对应各个像素单元的栅线、栅电极和公共电极线;
沉积栅绝缘层,并通过构图工艺形成过孔;
制作第二层半导体薄膜和第二层金属薄膜,并通过构图工艺形成对应各个像素单元的有源层、源漏电极和数据线;
沉积钝化层,并通过构图工艺形成过孔;
沉积透明导电材料,并通过构图工艺形成对应第一像素单元和第二像素单元的第二层透明导电膜的图案;其中,在所述第一像素单元中,第二层透明导电膜通过过孔和薄膜晶体管的漏电极电性连接,在所述第二像素单元中,第二层透明导电膜通过过孔和公共电极线电性连接。
一方面,提供一种阵列基板的制造方法,所述阵列基板包括第一像素单元和第二像素单元,所述方法包括:
在衬底基板上沉积透明导电材料,并通过构图工艺形成对应第一像素单元和第二像素单元的第一层透明导电膜的图案;其中,所述第一像素单元和第二像素单元沿所述数据线方向间隔排列;
在形成有第一层透明导电膜的衬底基板上制作第一层金属薄膜和第一层半导体薄膜,并通过构图工艺形成对应各个像素单元的栅线、栅电极和公共电极线;
沉积栅绝缘层,并通过构图工艺形成过孔;
制作第二层半导体薄膜和第二层金属薄膜,并通过构图工艺形成对应各个像素单元的有源层、源漏电极和数据线;
沉积钝化层,并通过构图工艺形成过孔;
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