[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年5月4日提交的申请号为10-2011-0042546的韩国专利申请的优先权，本文通过引用包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种制造非易失性存储器件的方法，更具体而言，涉及一种制造包括隔离层的非易失性存储器件的方法。

背景技术

非易失性存储器件是指即使在切断电源的情况下也可以保留存储在其中的数据的存储器件。目前广泛地应用各种非易失性存储器件，例如NAND型快闪存储器等。

近来，随着半导体器件集成度的提高，将相邻的器件电隔离的器件隔离技术的重要性越来越大。通常使用浅沟槽隔离(STI)法作为半导体工艺的器件隔离技术中的一种，在STI中，在半导体衬底中形成限定有源区的沟槽，然后用电介质材料填充沟槽以形成隔离层。

另外，随着半导体器件之间的距离的减小，通过仅在具有STI结构的隔离层左侧和右侧形成一个器件的现有技术来提高集成度可能存在极限。此外，随着沟槽高宽比的增加，掩埋特性可能降低。例如，在STI结构中可能出现空隙。

发明内容

本发明的示例性实施例针对一种用于制造包括隔离层的非易失性存储器件的方法，所述方法能够在提高非易失性存储器件集成度的同时改善器件隔离特性。

根据本发明的一个示例性实施例，一种制造非易失性存储器件的方法包括以下步骤：在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；在衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；通过将第一控制栅导电层、第一栅间电介质层、浮栅导电层、隧道电介质层和有源区刻蚀到给定的深度来形成沟槽；形成第二隔离层以填充沟槽；以及在形成有第二隔离层的所得结构之上形成第二控制栅导电层。

附图说明

图1是根据本发明第一示例性实施例的非易失性半导体器件的布局图。

图2A至图2H是解释根据本发明第一示例性实施例的制造非易失性存储器件的方法的截面图。

图3A至图3C是解释根据本发明第二示例性实施例的制造非易失性存储器件的方法的截面图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。但是，本发明可以以不同的方式实施，并不应解释为限定于本文所列的实施例。确切地说，提供这些实施例是为了使本说明书是充分且完整的，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在本说明书中，相同的附图标记表示相同的部分。

附图并非按比例绘制，并且在某些情况下，为了清楚地示出实施例的特征，可能对比例做夸大处理。当提及第一层在第二层“上”或在衬底“上”时，其不仅表示第一层直接形成在第二层或衬底上的情况，还表示在第一层与第二层或衬底之间存在第三层的情况。

图1是根据本发明第一示例性实施例的非易失性半导体器件的布局图。图2A至图2H是解释根据本发明第一示例性实施例的制造非易失性存储器件的方法的截面图。具体而言，图2H是根据本发明第一示例性实施例的非易失性存储器件的截面图，图2A至图2G说明制造图2H所示的器件的中间工艺的实例。截面图是沿着图1的线Y-Y’截取的。

参照图1和图2A至图2H，下面将描述根据本发明第一示例性实施例的制造非易失性存储器件的方法。

参照图2A，在半导体衬底100之上形成隧道电介质层110和浮栅导电层120。与此同时，在形成隧道电介质层110之前，可以执行离子注入工艺以在半导体衬底100中形成有源区。下面将详细地描述有源区。

隧道电介质层110可以由厚度为至的氧化物层形成，所述氧化物层是利用例如O₂和H₂的气体混合物将半导体衬底100氧化而形成。此时，为了控制热电子的隧穿效应，可以在850℃至950℃的温度下利用例如NO或NO₂气体原位地(in-situ)或离位地(ex-situ)执行退火。