[发明专利]制造非易失性存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：

在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；

在所述衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；

通过将所述第一控制栅导电层、所述第一栅间电介质层、所述浮栅导电层、所述隧道电介质层和所述有源区刻蚀到给定的深度来形成沟槽；

形成第二隔离层以填充所述沟槽；以及

在形成有所述第二隔离层的所得结构之上形成第二控制栅导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述沟槽的步骤被执行为，其中所述沟槽的底表面位于比所述第一隔离层的底表面更高的水平高度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，利用暴露出所述浮栅导电层的中心部分的掩模图案执行形成所述沟槽的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述第二隔离层之后，在所述浮栅导电层的暴露的表面上形成第二栅间电介质层。

5.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：在形成所述沟槽之后，在所述沟槽的内壁上形成内衬层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一隔离层和所述第二隔离层由相同的材料形成。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述有源区以及所述第一隔离层和所述第二隔离层被形成为沿着一个方向延伸的线型。

8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：通过刻蚀所述第二控制栅导电层、所述第二隔离层、所述第一控制栅导电层、所述第一栅间电介质层、所述浮栅导电层和所述隧道电介质层来形成浮栅和控制栅。

9.如权利要求8所述的方法，其中，利用沿着与所述有源区以及所述第一隔离层和所述第二隔离层相交叉的方向延伸的线型掩模图案来执行形成所述浮栅和所述控制栅的步骤。

10.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二隔离层的表面的高度与所述第一隔离层的表面的高度实质相等。

11.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二隔离层被形成为完全填充所述沟槽。