[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一芯片；

第二芯片，位于所述第一芯片上方；

导电元件，在所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的下表面之间延伸；

均匀一体底部填充材料，置于所述第一芯片和所述第二芯片之间，包封所述导电元件，并沿所述第二芯片的侧壁延伸，所述均匀一体底部填充材料的上表面沿与所述第二芯片的上表面平行的方向延伸并与所述第二芯片的所述上表面相邻地设置；

模制材料，在位于所述第一芯片的所述上表面上方的所述均匀一体底部填充材料的外侧表面上，其中，所述模制材料通过所述均匀一体底部填充材料与所述第二芯片的侧壁分开，从而所述模制材料不接触所述第二芯片的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述均匀一体底部填充材料包括硅石和树脂的组合。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述模制材料完全围绕所述第二芯片的所有侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一芯片包括集成电路和多个通孔。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二芯片电连接到所述通孔中的一些通孔。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述通孔中的电连接到所述第二芯片的一些通孔与所述第一芯片的集成电路隔离。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述通孔中的另一些通孔电连接到所述第一芯片的集成电路。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二芯片是所述半导体装置的最顶部的芯片。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述底部填充材料的上表面是平坦的。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述底部填充材料的上表面具有凹进或凸出的剖视轮廓。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述模制材料的上表面、所述均匀一体底部填充材料的上表面和所述第二芯片的上表面共面。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述模制材料的整个上表面和所述均匀一体底部填充材料的整个上表面均位于离第一平面5μm的范围内，其中，所述第一平面为所述第二芯片的上表面所处的平面。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述均匀一体底部填充材料在所述第二芯片的侧壁上方延伸并接触所述第二芯片的在与所述侧壁相邻的位置处的上表面。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述模制材料延伸超过所述第二芯片的上表面并接触所述第二芯片的上表面的中心部分。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一芯片的厚度大于等于50μm，所述第二芯片的厚度小于等于50μm。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置的热膨胀系数小于6ppm/K。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述半导体装置的热膨胀系数小于4ppm/K。

18.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二芯片的热膨胀系数与所述均匀一体底部填充材料的热膨胀系数的比率小于1/3。

19.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述均匀一体底部填充材料的热膨胀系数大于所述第一芯片的热膨胀系数并小于所述模制材料的热膨胀系数。

20.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述模制材料的体积与所述均匀一体底部填充材料的体积的比率小于等于2。

21.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，相对于所述第一芯片、所述第二芯片和所述均匀一体底部填充材料的组合的垂直剖视轮廓：

所述均匀一体底部填充材料沿所述第一芯片的上表面延伸第一距离，所述第一距离为从位于所述第二芯片的第一侧壁正下方的第一位置到所述第一芯片的不位于第二芯片下方的上表面处的均匀一体底部填充材料的边缘处的第二位置的距离；

所述均匀一体底部填充材料包括远离所述第一侧壁延伸第二距离的上表面，

其中，所述第二距离与所述第一距离的比率小于等于0.5。