[发明专利]发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统有效
申请号: | 201210020453.1 | 申请日: | 2012-01-29 |
公开(公告)号: | CN102856461B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 金信 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 封装 以及 照明 系统 | ||
技术领域
实施方案可以涉及一种发光器件、包括这种发光器件的发光器件封装以及照明系统。
背景技术
由于薄膜生长技术和器件材料的发展,发光器件如使用III-V族或者II-VI族化合物半导体材料的发光二极管和激光二极管可以实现红色、绿色、蓝色和各种颜色的光以及紫外光,并且可以通过荧光材料或者颜色混合实现具有高效率的白光。
由于这种技术的发展,这些发光器件不仅已经越来越多地应用于显示装置而且也应用于光通信装置的传输模块、代替组成液晶显示器(LCD)的背光灯的冷阴极荧光灯的发光二极管背光灯、代替荧光灯或者白炽灯的白色发光二极管照明装置、车辆的前灯以及街灯。
发明内容
因而,实施方案可以提供一种发光器件、包括这种发光器件的发光器件封装、以及照明系统。
在一个实施方案中,发光器件包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层;设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极;设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极;以及设置在所述发光结构上的、具有不规则厚度的低温氧化物膜。
低温氧化物膜的表面上可以形成不均匀结构(unevenness)。
低温氧化物膜可以包括绝缘材料。
低温氧化物膜可以形成为至少两层。
低温氧化物膜可以设置在第一导电型半导体层的表面和第二导电型半导体层的表面中的至少其一上。
低温氧化物膜可以包括设置在发光结构上的第一层以及设置在第一层上的第二层。
第一层可以设置在发光结构的表面上,第二层可以选择性地设置在第一层的表面上。
第一层的厚度可以是1至5微米,而第二层的厚度可以是1至5微米。
低温氧化物膜可以包括氧化硅。
低温氧化物膜可以在400~450℃沉积。
低温氧化物膜可以由透射材料形成。
低温氧化物膜的厚度可以是1至10微米。
发光器件可以进一步包括设置在发光结构的侧面上的钝化层,并且,钝化层可以与低温氧化物膜的侧面接触。
在另一实施方案中,发光器件封装包括:封装体;设置在封装体上的第一引线框和第二引线框;上述发光器件,该发光器件设置在待电连接至第一引线框和第二引线框的封装体上;以及环绕发光器件的侧面和顶面的模制部分。
低温氧化物膜可以设置在模制部分上。
可以进一步在发光器件上设置涂覆在发光器件上的磷光体层,并且,低温氧化物层可以设置在磷光体层的表面上。
可以进一步提供设置在模制部分上的透镜,并且低温氧化物层可以设置在透镜上。
在另一实施方案中,照明系统包括:具有封装体的发光器件封装;设置在封装体上的第一引线框和第二引线框;上述发光器件,该发光器件设置在待电连接至第一引线框和第二引线框的封装体上;电连接至发光器件封装的电路板;以及用于传输从发光器件封装发出的光的光学构件。
附图说明
可以参照附图对设置和实施方案进行详细描述,在附图中,相似的附图标记指代相似的元件,其中:
图1是示出根据实施方案的发光器件的剖视图;
图2A和2B是示出根据另一实施方案的发光器件的剖视图;
图3A至3D是示出根据实施方案的发光器件封装的剖视图;
图4是示出根据另一实施方案的发光器件封装的剖视图;
图5至10是示出制造图1中示出的发光器件的过程的图;
图11A至11C是示出设置在图1中示出的发光器件中的低温氧化物膜的作用的图;
图12是示出包括根据实施方案的发光器件封装的照明系统的立体分解图;以及
图13是示出根据一个实施方案的显示装置的图,所述显示装置包括根据实施方案的发光器件封装。
具体实施方案
下文中,将参照附图对实施方案进行描述。
会理解,当称元件位于另外的元件“上”或者“下”时,该元件可以直接位于另外的元件上/下,并且也可以有一个或更多个中间元件。当称元件处于“上”或者“下”时,基于该元件可以包括“在元件下”以及“在元件上”。
可以对附图中示出的每个层的厚度和尺寸进行放大、省略或者示意性地描绘。附图中示出的每个元件的尺寸并不完全反映实际尺寸。
图1是示出根据实施方案的发光器件的剖视图。
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