[发明专利]发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；

设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；

设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极；和

设置在所述发光结构上并且具有不规则厚度的低温氧化物膜。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述低温氧化物膜的表面上形成不均匀结构。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜形成为至少两层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜设置在所述第一导电型半导体层的表面和所述第二导电型半导体层的表面中的至少一个表面上。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括设置在所述发光结构上的第一层和设置在所述第一层上的第二层。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一层设置在所述发光结构的表面上，并且所述第二层设置在所述第一层的一部分表面上。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一层的厚度是1微米至5微米。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二层的厚度是1微米至5微米。

10.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括绝缘材料。

11.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括氧化硅。

12.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜在400℃至450℃下沉积。

13.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜包括透射材料。

14.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，其中所述低温氧化物膜的厚度为1微米至10微米。

15.根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件，还包括：

设置在所述发光结构的侧表面上的钝化层。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述钝化层与所述低温氧化物膜的侧表面接触。

17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述钝化层包括绝缘材料。

18.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述钝化层包括选自二氧化硅(SiO₂)层、氮氧化物层、氧化铝层和氮化物层中的至少一种。

19.根据权利要求15所述的发光器件，其中构成所述钝化层的材料与构成所述低温氧化物膜的材料不同。

20.一种照明系统，包括：

根据权利要求1至5中的一项所述的发光器件；和

环绕所述发光器件的侧表面和顶表面的模制部分。

21.根据权利要求20所述的照明系统，其中所述低温氧化物膜设置在所述模制部分上。

22.根据权利要求20所述的照明系统，还包括：

设置在所述发光器件上的磷光体层，

其中所述低温氧化物膜设置在所述磷光体层的表面上。

23.根据权利要求20所述的照明系统，还包括：

设置在所述模制部分上的透镜，

其中所述低温氧化物膜设置在所述透镜上。