[发明专利]半导体光源模块及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体光源模块及其制造方法，且特别是有关于一种结合发光二极管及齐纳二极管的半导体光源模块及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，各种半导体光源不断推陈出新。举例来说，发光二极管通过电子与空穴在其内结合而产生电致发光效应。发光二极管的光线的波长与其所采用的半导体材料种类与掺杂物有关。发光二极管具有效率高、寿命长、不易破损、开关速度高、高可靠性等优点，使得发光二极管已经广泛应用于各式电子产品。

发光二极管采用半导体设备来制作成一颗颗的晶粒。在某些设计中，为了增加发光二极管的稳定性，也会通过半导体设备来一并制作一些被动元件，使发光二极管与被动元件作结合，提升发光二极管的稳定性。

发明内容

本发明有关于一种半导体光源模块及其制造方法，其利用凹槽的设计，使得齐纳二极管(zener diode)等被动元件可以内埋于基板之内，而不增加基板的厚度。此外，在制造过程中，可以直接采用封装设备即可完成内埋齐纳二极管的步骤，而不需要昂贵的半导体设备，大幅降低制造成本。

根据本发明的一方面，提出一种半导体光源模块。半导体光源模块包括一基板、一齐纳二极管及一发光二极管(light emitting diode，LED)。基板具有一凹槽。齐纳二极管设置于凹槽内。发光二极管设置于基板上，并电性连接齐纳二极管。发光二极管的投影范围涵盖凹槽。

根据本发明的另一方面，提出一种半导体光源模块的制造方法。半导体光源模块的制造方法包括以下步骤。提供一基板。基板具有一凹槽。设置一齐纳二极管于凹槽内。设置一发光二极管于基板上。发光二极管电性连接齐纳二极管。发光二极管的投影范围涵盖凹槽。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示半导体光源模块的示意图。

图2～10绘示本实施例半导体光源模块的制造方法的示意图。

图11绘示另一半导体光源模块的示意图。

图12绘示另一半导体光源模块的示意图。

图13绘示另一半导体光源模块的示意图。

图14绘示另一半导体光源模块的示意图。

图15绘示另一半导体光源模块的示意图。

图16绘示另一半导体光源模块的示意图。

图17绘示另一半导体光源模块的示意图。

图18绘示另一半导体光源模块的示意图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400、500、600、700、800、900：半导体光源模块

110、210、310、410、510、610、710、810、910：基板

110a、210a、310a、410a、610a、710a、810a：第一表面

110b、510b、610b、710b、810b：第二表面

111、311、411、511、611、711、811：凹槽

111a、511a、611a：底面

111b、311b、411b、711b、811b：侧壁

111c：开口

112：氧化硅层

113：光阻层

114：第一凹孔

115：第二凹孔

116：第一贯穿孔

117：第二贯穿孔

118：第三贯穿孔

119：第四贯穿孔

120、220、320、420、520、620、720、820、920：齐纳二极管

120a、220a、420a、620a、820a：第三表面

120b、320b、420b、520b、620b、720b、820b：第四表面

130、230、330、430、530、630、730、830、930：发光二极管

140、240、440、640、840：第一填充材料

150：第二填充材料

160：透明封胶

170、370、470、570、670、770、870：第一导线

180、280、380、480、580、680、780、880：第二导线

D111、D114、D115、D120、D150、D170、D180：厚度

W111：宽度

具体实施方式