[发明专利]半导体光源模块及其制造方法无效
| 申请号： | 201210018053.7 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102569287A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄彦良;彭胜扬;蔡宗岳;赖逸少 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;F21V19/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 光源 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体光源模块，包括：
一基板，具有一凹槽；
一齐纳二极管，设置于该凹槽内；以及
一发光二极管，设置于该基板上，并电性连接该齐纳二极管，该发光二极管的投影范围涵盖该凹槽。
2.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该凹槽的深度大于该齐纳二极管的厚度。
3.如权利要求1所述的半导体光源模块，更包括：
一第一填充材料，填充于该凹槽内，并覆盖该齐纳二极管。
4.如权利要求3所述的半导体光源模块，更包括：
一第二填充材料，设置于该第一填充材料及该发光二极管之间。
5.如权利要求4所述的半导体光源模块，其中该第一填充材料的材质与该第二填充材料的材质相同。
6.如权利要求4所述的半导体光源模块，其中该第一填充材料的材质与该第二填充材料的材质不同。
7.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该发光二极管以覆晶接合的方式与该基板连接。
8.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该发光二极管以打线接合的方式与该基板连接。
9.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该基板具有一第一表面及一第二表面，该凹槽的开口位于该第一表面，该发光二极管设置于该第一表面。
10.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该基板具有一第一表面及一第二表面，该凹槽的开口位于该第一表面，该发光二极管设置于该第二表面。
11.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该齐纳二极管具有相对的一第三表面及一第四表面，该第三表面邻近于该凹槽的开口，该第四表面邻近于该凹槽的底面，该半导体光源模块更包括：
一第一导线，自该第四表面连接至该发光二极管，以电性连接该齐纳二极管及该发光二极管；以及
一第二导线，自该第四表面或该第三表面连接至该发光二极管，以电性连接该齐纳二极管及该发光二极管。
12.如权利要求11所述的半导体光源模块，其中部份的该第一导线贯穿该凹槽的底面及该第二表面，部份的该第一导线铺设于该第二表面，且部份的该第一导线贯穿该第一表面及该第二表面。
13.如权利要求11所述的半导体光源模块，其中部份的该第一导线铺设于该凹槽的侧壁，且部份的该第一导线铺设于该第一表面。
14.如权利要求1所述的半导体光源模块，其中该凹槽为一平底锥状结构、一尖底锥状结构或一柱状结构。
15.一种半导体光源模块的制造方法，包括：
提供一基板，该基板具有一凹槽；
设置一齐纳二极管于该凹槽内；以及
设置一发光二极管于该基板上，该发光二极管电性连接该齐纳二极管，该发光二极管的投影范围涵盖该凹槽。
16.如权利要求15所述的半导体光源模块的制造方法，更包括：
填充一第一填充材料于该凹槽内，并覆盖该齐纳二极管。
17.如权利要求16所述的半导体光源模块的制造方法，更包括：
填充一第二填充材料于该第一填充材料上，以使该第二填充材料设置于该第一填充材料及该发光二极管之间。
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