[发明专利]基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法

权利要求书

1.一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于，所述方法至少包括步骤：

1)在衬底表面形成由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理，以使表层Si_1-xGe_x材料发生弛豫现象；

2)在已发生弛豫现象的结构表面至少一次重复以下过程：

低温生长Si_1-xGe_x和/或Si以修复表面；及

基于已修复表面的结构来再次形成由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；

3)在步骤2)所形成的结构表面低温生长Si_1-xGe_x/Si的材料层；

4)采用智能剥离技术将步骤3)所形成的结构中的至少部分层转移到一含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构。

2.根据权利要求1所述的基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于：所述步骤1)包括：

在另一含氧衬底表面形成由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理，以使表层Si_1-xGe_x材料发生弛豫现象。

3.根据权利要求1所述的基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于：每一量子阱结构中的Si_1-xGe_x/Ge或Si材料层的厚度在十纳米至近百纳米范围内，且不超过临界厚度。

4.根据权利要求1所述的基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于：所述步骤3)所生长的Si_1-xGe_x/Si材料层厚度在100～200nm之间。

5.根据权利要求1所述的基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于：所述步骤2)包括：

在已发生弛豫现象的结构表面重复两次以下过程：

低温生长Si_1-xGe_x和/或Si以修复表面；及

基于已修复表面的结构来再次形成由Si_1-xGe_x/Ge或Si/Si_1-xGe_x形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理。

6.根据权利要求1所述的基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于：所述智能剥离技术包括选择性腐蚀技术或化学机械抛光技术。

7.根据权利要求1所述的基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于：退火处理包括注入退火处理或直接高温退火处理。