[发明专利]太阳能电池硅片的清洗方法有效
申请号: | 201210017662.0 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN102592972A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 崔景光;汤欢;刘旭;张杜超;陈静 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅片 清洗 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产过程中硅片清洗技术领域,更具体地说,涉及一种太阳能电池硅片的清洗方法。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应直接将光能转化成电能的装置。制造太阳能电池的主要工艺流程为:制绒、扩散、周边刻蚀、PECVD(等离子体增强化学气相沉积,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)和印刷烧结。
在印刷烧结工艺中,将浆料印刷在硅片正面和背面,烧结后形成电极,用来电荷的收集,同时有利于组件的焊接。
浆料是指由银粉,铝粉和无机粘合剂玻璃料,有机载体和其他添加剂组成,其中有机载体包括有机溶剂和有机树脂。
基于太阳能电池的功能,对太阳能电池的表面质量要求较严格。印刷烧结工艺中印刷浆料后,如果硅片表面有瑕疵,例如斑点,印刷图案不完整等,即该硅片印刷浆料不合格,需要将印刷浆料不合格,即表面有瑕疵的硅片挑出来作为再利用片,重新投入生产。再利用片即为在太阳能电池生产过程中,因为设备故障、外围条件异常变化、硅片被污染等原因导致硅片的表面质量受到影响,需要重新开始制作工艺的硅片。再利用硅片和正常硅片除厚度存在差异,质量上并没有差异。
由于印刷后的硅片表面存在浆料,需要将硅片表面的浆料清洗干净才可以重新投入生产,开始制绒。目前,对于印刷浆料后表面质量不合格的硅片,采用酒精和无尘布进行擦洗,可将大部分浆料清洗掉。但是浆料含有的金属粉末和有机溶剂部分不能溶于酒精,会附着在硅片表面,导致使用酒精并不能完全擦洗干净。未擦拭干净的硅片,即表面附着有金属粉末和有机溶剂的硅片,投入生产,制绒后会出现大量不合格的硅片,严重影响了成品的合格率,最终导致印刷浆料不合格的硅片的重新利用率较低。
综上所述,如何提供一种太阳能电池硅片的清洗方法,减少残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末和有机溶剂,进而提高印刷浆料不合格的太阳能电池硅片的重新利用率,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种太阳能电池硅片的清洗方法,减少了残留在太阳能电池硅片表面的金属粉末和有机溶剂,进而提高了印刷浆料不合格的太阳能电池硅片的重新利用率。
为了达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种太阳能电池硅片的清洗方法,包括:
1)采用酒精或者松油醇清洗所述太阳能电池硅片,得到初步清洗的太阳能电池硅片;
2)采用碱性清洗剂溶液对所述初步清洗的太阳能电池硅片进行清洗,得到碱性清洗的太阳能电池硅片;
3)采用水对所述碱性清洗的太阳能电池硅片进行清洗;
4)采用双氧水溶液对用水清洗的所述太阳能电池硅片进行清洗;
5)采用水对经过所述双氧水溶液清洗的所述太阳能电池硅片进行清洗,获得清洗得较干净的所述太阳能电池硅片。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤2)还包括:在所述碱性清洗剂溶液中加入超声波,进行超声清洗。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤2)中,所述碱性清洗剂溶液中,纯水与碱性清洗剂的体积比在7.5∶1和15∶1之间。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤2)中,采用所述碱性清洗剂溶液对所述太阳能电池硅片进行清洗的时间在30-150min之间。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤2)中,将所述初步清洗的太阳能电池硅片放入载片盒内进行清洗,通过超声发生器向所述碱性清洗剂溶液中加入超声波。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤4)中,所述双氧水溶液中双氧水的质量浓度在5%-30%之间。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤4)中,采用所述双氧水溶液对所述太阳能电池硅片进行清洗的时间在30-75min之间。
优选的,上述太阳能电池硅片的清洗方法中,所述步骤3)和/或步骤5)中,所述清洗的具体为通过浸没或者喷淋的方式进行清洗。
本发明提供的太阳能电池硅片的清洗方法,包括:采用酒精或者松油醇清洗太阳能电池硅片,得到初步清洗的太阳能电池硅片;采用碱性清洗剂溶液对初步清洗的太阳能电池硅片进行清洗,得到碱性清洗的太阳能电池硅片;采用水对碱性清洗的太阳能电池硅片进行清洗;采用双氧水溶液对用水清洗的太阳能电池硅片进行清洗;采用水对经过双氧水溶液清洗的太阳能电池硅片进行清洗,获得清洗得较干净的所述太阳能电池硅片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英利能源(中国)有限公司,未经英利能源(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210017662.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抑制多用户间干扰的方法和装置
- 下一篇:电厂运煤系统中的Y形落煤管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造