[发明专利]太阳能电池硅片的清洗方法

权利要求书

1.一种太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，包括：

1)采用酒精或者松油醇清洗所述太阳能电池硅片，得到初步清洗的太阳能电池硅片；

2)采用碱性清洗剂溶液对所述初步清洗的太阳能电池硅片进行清洗，得到碱性清洗的太阳能电池硅片；

3)采用水对所述碱性清洗的太阳能电池硅片进行清洗；

4)采用双氧水溶液对用水清洗的所述太阳能电池硅片进行清洗；

5)采用水对经过所述双氧水溶液清洗的所述太阳能电池硅片进行清洗，获得清洗得较干净的所述太阳能电池硅片。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤2)还包括：在所述碱性清洗剂溶液中加入超声波，进行超声清洗。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤2)中，所述碱性清洗剂溶液中，纯水与碱性清洗剂的体积比在7.5∶1和15∶1之间。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤2)中，采用所述碱性清洗剂溶液对所述太阳能电池硅片进行清洗的时间在30-150min之间。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤2)中，将所述初步清洗的太阳能电池硅片放入载片盒内进行清洗，通过超声发生器向所述碱性清洗剂溶液中加入超声波。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤4)中，所述双氧水溶液中双氧水的质量浓度在5％-30％之间。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤4)中，采用所述双氧水溶液对所述太阳能电池硅片进行清洗的时间在30-75min之间。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的太阳能电池硅片的清洗方法，其特征在于，所述步骤3)和/或步骤5)中，所述清洗的具体为通过浸没或者喷淋的方式进行清洗。