[发明专利]发光器件及发光器件封装件有效
申请号: | 201210016849.9 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102956664B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
技术领域
实施方案涉及一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
背景技术
发光二极管(LED)已经广泛地用作发光器件。LED利用化合物半导体的特性将电信号转换成光,如红外线、可见光线或者紫外线。
由于发光器件的光效率已经得到了提高,所以发光器件已经应用在各种领域中,如显示器件和照明器件。
发明内容
实施方案提供了一种能够改善工艺稳定性并且包括彼此电连接的多个单元的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
根据实施方案的发光器件包括:第一发光结构,该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层;在第一发光结构下的第一反射电极;第二发光结构,该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层;在第二发光结构下的第二反射电极;将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部;以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件包括:多个发光单元,各发光单元包括:反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层;将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部;以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件封装件包括:本体;在本体上的发光器件;以及电连接至发光器件的第一和第二引线电极,其中,发光器件包括:第一发光结构,该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层;在第一发光结构下的第一反射电极;第二发光结构,该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层;在第二发光结构下的第二反射电极;将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部;以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件封装件包括:本体;在本体上的发光器件;以及电连接至发光器件的第一和第二引线电极,其中,发光器件包括:多个发光单元,各发光单元包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层;将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部;以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的照明装置包括:板;安装在板上的发光器件;以及用作从发光器件发出的光的光路的光学构件,其中,发光器件包括:第一发光结构,该第一发光结构包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层;在第一发光结构下的第一反射电极;第二发光结构,该第二发光结构包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层;在第二发光结构下的第二反射电极;将第一发光结构的第一导电型第一半导体层电连接至第二反射电极的接触部;以及在接触部与第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的照明装置包括:板;安装在板上的发光器件;以及,用作从发光器件发出的光的光路的光学构件,其中,发光器件包括:多个发光单元,各发光单元包括反射电极、在反射电极上的第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第一导电型半导体层;将第一发光单元的第一导电型半导体层电连接至与第一发光单元相邻的第二发光单元的反射电极的接触部;以及在接触部与第一发光单元的第二导电型半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
根据实施方案的发光器件、发光器件封装件以及照明装置,可以改善工艺稳定性,并且可以提供彼此电连接的多个单元。
附图说明
图1是示出根据实施方案的发光器件的视图;
图2至图6是示出用于制造根据实施方案的发光器件的方法的视图;
图7和图8是示出根据实施方案的发光器件的改变实例的视图;
图9是示出根据实施方案的发光器件封装件的视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210016849.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:驱动装置及其有刷电机
- 下一篇:包含生物聚合物的阻燃材料
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的