[发明专利]发光器件及发光器件封装件有效
申请号: | 201210016849.9 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102956664B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 丁焕熙 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构;
在所述第一发光结构下的第一反射电极;
包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构;
在所述第二发光结构下的第二反射电极;
将所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层电连接至所述第二反射电极的接触部;以及
在所述接触部与所述第二导电型第二半导体层之间的第一绝缘离子注入层。
2.根据权利要求1所述的发光器件,还包括在所述第一发光结构和所述第二发光结构下的支撑基板。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的内部接触。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述接触部与所述第二反射电极的下部接触。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述接触部与所述第二反射电极的侧面接触。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中在所述第一反射电极与所述第二导电型第二半导体层之间设置有第一欧姆接触层,并且在所述第二反射电极与所述第二导电型第四半导体层之间设置有第二欧姆接触层。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一绝缘离子注入层设置在所述接触部与所述第一有源层之间。
8.根据权利要求1所述的发光器件,还包括设置在所述接触部与所述第一导电型第三半导体层之间的第二绝缘离子注入层。
9.根据权利要求1所述的发光器件,还包括设置在所述接触部与所述第二有源层之间的第二绝缘离子注入层。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述接触部的顶面与所述第一导电型第一半导体层接触。
11.根据权利要求2所述的发光器件,还包括设置在所述支撑基板与所述第二反射电极之间的绝缘层。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其中所述绝缘层的一部分设置在所述第一反射电极与所述第二反射电极之间。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中当所述第一导电型第一半导体层包括GaN层时,所述接触部与所述第一导电型第一半导体层的Ga面接触。
14.一种发光器件封装件,包括:
本体;
安装在所述本体上的根据权利要求1至13中任一项所述的发光器件;以及
电连接至所述发光器件的第一和第二引线电极。
15.一种照明装置,包括:
板;
安装在所述板上的根据权利要求1至13中任一项所述的发光器件;以及
用作从所述发光器件发出的光的光路的光学构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的