[发明专利]半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法有效
| 申请号: | 201210016492.4 | 申请日: | 2012-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN102610588A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
| 发明(设计)人: | 马库斯·哈默;伯恩哈德·科诺特;安德烈亚斯·斯特拉瑟;乌韦·瓦尔;斯特凡·维尔科费尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/64;H01L23/495;H01L21/60;H04L25/02 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 用于 传输 信号 | ||
技术领域
本发明总体上涉及半导体器件及其制造方法,并且在具体实施例中,涉及变压器及其制造方法。
背景技术
变压器是通过感应地耦接的导体将电能从一个电路转移到另一电路的装置。第一或初级绕组或第一线圈中的变化电流通过次级绕组或第二线圈产生变化的磁场。这个变化的磁场在次级绕组中感应出变化的电动势或“电压”。
如果负载被连接到次级绕组上,电流将在次级绕组中流动并且电能将通过变压器从初级电路传送到负载上。在理想的变压器中,次级绕组中的感应电压(Vs)与初级电压(Vp)成比例,并且由如下的次级绕组内的匝数(Ns)与初级绕组内的匝数(Np)的比给出:
通过适当选择匝数比,从而变压器通过使Ns大于Np来允许“升高”交流(AC)电压,或者通过使Ns小于Np来允许“降低”交流电压。
变压器还可以提供电隔离,因为尽管带电粒子不会从第一线圈移动到第二线圈,但是仍可通过感应、电磁波、光耦合、声耦合、或机械耦接的方式在两个部分之间交换能量和/或信息。电隔离可以用于以下情况中:两个或更多个电路必须进信通信,但是它们的地线可能位于不同的电势。
发明内容
根据本发明的实施例,在此披露了一种半导体器件。该半导体器件包括:第一半导体芯片,包括第一线圈;第二半导体芯片,包括感应地耦接于第一线圈的第二线圈;以及隔离中间层,位于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。
根据本发明的实施例,在此披露了一种制造半导体器件的方法。该方法包括:制造包括第一线圈的第一半导体芯片、以及制造包括第二线圈的第二半导体芯片。方法进一步包括:将第一半导体芯片与第二半导体芯片对准,使得第一线圈与第二线圈相对地布置,并且将第一半导体芯片与第二半导体芯片进行结合(bonding)。
根据本发明的实施例,在此披露了一种用于传输信号的方法。该方法包括:在第一半导体芯片的第一连接衬垫处接收信号,将信号从第一半导体芯片的第一线圈变换(transforming)到第二半导体芯片的第二线圈,并且经由第二半导体芯片的第二连接衬垫发送信号。第一半导体芯片和第二半导体芯片一起形成变压器。
附图说明
为了更完整地理解本发明及其优点,现在结合附图参考以下说明,附图中:
图1示出了半导体器件制造过程的实施例的流程图;
图2示出了第一半导体芯片的实施例;
图3示出了第二半导体芯片的实施例;
图4示出了第二半导体芯片的打薄;
图5示出了在第二半导体芯片中形成过孔;
图6示出了在第二半导体芯片上布置中间隔离膜;
图7示出了半导体器件的实施例;以及
图8示出了无芯变压器。
具体实施方式
以下将详细讨论本优选实施例的制作及使用。然而,应当理解的是,本发明提供了多种可应用的发明构思,这些发明构思可以实施在多种多样的具体背景中。所讨论的具体实施例仅仅是用于制作和使用本发明的示意性的具体方式,而非限制本发明的范围。
将参考具体背景(即变压器)中的实施例来描述本发明。然而,本发明还可以应用到使用线圈或绕组的其他半导体器件上。
离散变压器或光耦接器典型地用于将信号从输入端传输到输出端从而提供安全的电隔离。离散变压器的缺点可能是它们较大并且制造昂贵,并且光耦接器可能随着时间推移而退化。
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