[发明专利]半导体器件及其制造方法、用于传输信号的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体芯片，包括第一线圈；

第二半导体芯片，包括感应地耦接于所述第一线圈的第二线圈；以及

隔离中间膜，位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离中间膜是双侧粘合膜，所述粘合膜具有在大约60kV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离中间膜是粘附膏，所述粘附膏具有在大约60KV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离中间膜包括大约20μm至大约500μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体芯片包括集成电路，并且其中所述第二半导体芯片由第二衬垫、所述第二线圈以及位于所述第二衬垫与所述第二线圈之间的电连接所组成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件进一步包括引线框，其中所述第一半导体芯片的第一衬垫结合到所述引线框，并且其中所述第二半导体芯片的第二衬垫结合到所述引线框。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体芯片的第一线圈以及所述第二半导体芯片的第二线圈形成变压器。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

制造包括第一线圈的第一半导体芯片；

制造包括第二线圈的第二半导体芯片；

将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片对准，使得所述第一线圈与所述第二线圈相对地布置；以及

将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片结合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片结合的步骤包括将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片经由中间隔离膜结合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述中间隔离膜包括大约20μm至大约500μm的厚度。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述中间隔离膜是双侧粘合膜，所述粘合膜具有在大约60kV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述中间隔离膜是粘附膏，所述粘附膏具有在大约60KV/mm与大约100kV/mm之间的介电强度。

13.根据权利要求所述8的方法，其中，将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片对准的步骤包括将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片面对面地放置。

14.根据权利要求8所述的方法，进一步包括将所述第二半导体芯片的衬底打薄到大约60μm至大约300μm的厚度。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在所述第二半导体芯片的衬底中蚀刻贯穿过孔。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括通过所述衬底过孔将所述第二半导体芯片的连接衬垫与引线框进行电连接。

17.一种用于传输信号的方法，所述方法包括：

在第一半导体芯片的第一连接衬垫处接收信号；

将所述信号从所述第一半导体芯片的第一线圈变换至第二半导体芯片的第二线圈上；以及

经由所述第二半导体芯片的第二连接衬垫发送所述信号，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片一起形成变压器。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片是电隔离的。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过粘合膜或者粘附膏而彼此附接，所述粘合膜或粘附膏具有在大约60kV/mm至大约100kV/mm之间的介电强度。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述粘合膜或者所述粘附膏包括大约20μm至大约500μm的厚度。