[发明专利]一种掩模板防静电环

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种掩模板防静电环。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；已经由最初的集成电路（Integrated Circuit，简称IC）逐步演变为大规模集成电路（Large Scale Integrated circuit，简称LSI）、超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated Circuit，简称VLSI），直至现在的特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integration，简称ULSI），半导体器件的面积越来越小，功能却更为全面强大。

但是，考虑到工艺研发的复杂性、长期性和高昂的成本等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，即在同一枚硅片上尽可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者及制造商的重视。其中，光刻工艺是提高集成密度的关键因素之一，而掩模板是光刻工艺中必备的物质材料。

在集成电路制造工艺中，通常通过激光束或电子束将设计好的电路转移到掩模板上，再通过曝光的方式将掩模版上的图形转移到硅片上。由于掩模板上的图形尺寸都是微米级，比较容易受到静电破坏，因此在掩模板设计时通常会在掩模板外围设计一个防静电环以保护掩模板在制作、运输及使用过程中不受静电的破坏。

图1是本发明背景技术中传统的防静电环的结构示意图；如图1所示，传统的防静电环1的拐角内角11处使用直角设计，由于尖端放电现象的存在，掩模板内部的图形仍较易受到静电的破坏。

发明内容

本发明公开了一种掩模板防静电环，包括一掩模板防静电环本体，其中，将该掩模板防静电环的拐角内角设置为至少两个钝角形状或圆弧形状。

上述的掩模板防静电环，其中，掩模板防静电环的拐角内角为钝角形状时，其钝角的边的长度大于或等于0.5um。

上述的掩模板防静电环，其中，掩模板防静电环的拐角内角形状设置为两个钝角形状时，其钝角的边的长度优选的为5um。

上述的掩模板防静电环，其中，掩模板防静电环的拐角内角设置为圆弧形状时，其曲率半径大于或等于0.5um。

上述的掩模板防静电环，其中，掩模板防静电环的拐角内角设置为圆弧形状时，其曲率半径优选的为5um。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种掩模板防静电环，通过将掩模板防静电环的拐角内角设置为钝角或圆弧形状，能有效的避免尖端放电，从而保护了掩模板内部的图形不受静电的破坏。

附图说明

图1是本发明背景技术中传统的防静电环的结构示意图；

图2是本发明掩模板防静电环的结构示意图；

图3是本发明掩模板防静电环的结构中拐角内角采用钝角形状的结构示意图；

图4是本发明掩模板防静电环的结构中拐角内角采用圆弧形状的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：

图2是本发明掩模板防静电环的结构示意图；图3是本发明掩模板防静电环的结构中拐角内角采用钝角形状的结构示意图；图4是本发明掩模板防静电环的结构中拐角内角采用圆弧形状的结构示意图。

如图2-3所示，本发明一种掩模板防静电环：

将掩模板防静电环2的拐角内角21设置为两个钝角形状，且其钝角的边的长度d为5um，以避免尖端放电，从而保护了掩模板内部的图形不受静电的破坏。

如图4所示，还可以将掩模板防静电环3的拐角内角31设置为圆弧形状形状，且曲率半径r为5um，以避免尖端放电，从而保护了掩模板内部的图形不受静电的破坏。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种掩模板防静电环，通过将掩模板防静电环的拐角内角设置为钝角或圆弧形状，能有效的避免尖端放电，从而保护了掩模板内部的图形不受静电的破坏。

通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。

对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。