[发明专利]一种延长光刻胶有效使用时间的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种延长光刻胶有效使用时间的方法。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；已经由最初的集成电路（Integrated Circuit，简称IC）逐步演变为大规模集成电路（Large Scale Integrated circuit，简称LSI）、超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated Circuit，简称VLSI），直至现在的特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integration，简称ULSI），半导体器件的面积越来越小，功能却更为全面强大。

但是，考虑到工艺研发的复杂性、长期性和高昂的成本等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，即在同一枚硅片上尽可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者及制造商的重视。其中，光刻工艺是提高集成密度的关键因素之一，而光刻胶则是光刻工艺中必备的物质材料。

目前，半导体制造产业中光刻胶在常温（23℃）下使用有效期都是6个月，部分I－line的光刻胶常温下有效期是9个月；在光刻胶运输过程中，若加上运输报关等时间，一般光刻胶在半导体制造公司真实的有效使用时间只有3～4个月，再考虑安全库存、设备down机额外需求等因素，会导致光刻胶因过期而报废，从而增加了制造公司的生产成本。

图1是本发明背景技术中在0℃、10℃和23℃下光刻胶厚度与存储时间之间的关系图，横轴表示存储时间，纵轴表示光刻胶厚度；图2是本发明背景技术中在0℃、10℃和23℃下光刻胶感光度与存储时间之间的关系图，横轴表示存储时间，纵轴表示光刻胶感光度；图3是本发明背景技术中在0℃、10℃和23℃下光刻胶内微粒与存储时间之间的关系图，横轴表示存储时间，纵轴表示光刻胶内微粒；图4是本发明背景技术中在0℃、10℃和23℃下光刻胶上金属污染物与存储时间之间的关系图，横轴表示存储时间，纵轴表示光刻胶上金属污染物；图5是本发明背景技术中在常温23℃下光刻胶从光阻瓶运输至喷头的结构示意图。

如图1-4所示，在常温23℃下，供应商一般是根据光刻胶膜厚、感光度、光刻胶内微粒和光刻胶金属污染物等4个方面的数据变化来评估其有效期；由于，上述光刻胶的这4个参数在常温23℃下6个月时间内几乎无变化，因此大部分光刻胶规定的有效期是6个月。如图5所示，在保持常温23℃温度下，光刻胶从光阻瓶11通过管道12依次经过排泡存储罐（tank）13、过滤器（filter）14和光阻泵（pump）15，并利用精确控温系统16保证从喷头17所出的光刻胶在使用时其温度为23℃。

如图1-4所示，在温度为0℃或10℃时，光刻胶膜厚、感光度、光刻胶内微粒和光刻胶金属污染物等4个方面的数据在9个月的时间内几乎无任何变化，即当光刻胶存储温度为0-10℃时，其存储有效期应该为9个月。

发明内容

本发明公开了一种延长光刻胶有效使用时间的方法，其中，包括以下步骤：

步骤S1：于涂胶机台上设置一冷藏装置，光阻瓶放置于该冷藏装置中，以保持光阻瓶中的光刻胶温度小于10℃；

步骤S2：于光阻瓶和排泡存储罐之间设置光阻加热装置，以使经过的光刻胶温度上升至常温；

步骤S3：光刻胶从光阻瓶通过管道运输，依次经过光阻加热装置、排泡存储罐、过滤器和光阻泵，并利用精确控温系统保证从喷头所出的光刻胶在使用时其温度为常温。

上述的延长光刻胶有效使用时间的方法，其中，所述常温为22℃或23℃。

上述的延长光刻胶有效使用时间的方法，其中，冷藏装置为恒温的微型冷藏室，其温度范围为0-10℃。

上述的延长光刻胶有效使用时间的方法，其中，光阻加热装置的加热方式为热循环水、射频模式、红外加热或光源加热等。

上述的延长光刻胶有效使用时间的方法，其中，光阻加热装置内设置有光刻胶温度测量装置，以实时监控光刻胶温度并根据该温度及时调整光阻加热装置的加热温度。

上述的延长光刻胶有效使用时间的方法，其中，光阻加热装置内的管道为迂回管道，以延长光刻胶加热时间。