[发明专利]具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201210014723.8 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102723411A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 许并社;李学敏;刘旭光 | 申请（专利权）人： | 许并社;李学敏;刘旭光 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 镍铟锡 氧化物 自旋 电子 注入 led 芯片 结构 | ||
1.一种具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构，包括蓝宝石基板（1）、N型氮化镓外延层（2）、多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）、P型氮化镓外延层（4）、负电极金属层（7）、以及正电极金属层（8）；其特征在于：还包括铟锡氧化物透明导电层（5）和镍纳米粒子层（6）；其中，N型氮化镓外延层（2）堆栈于蓝宝石基板（1）上；多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）堆栈于N型氮化镓外延层（2）上，且N型氮化镓外延层（2）部分曝露于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）外；P型氮化镓外延层（4）堆栈于多层量子阱氮化铟镓/氮化镓主动层（3）上；铟锡氧化物透明导电层（5）堆栈于P型氮化镓外延层（4）上；镍纳米粒子层（6）溅镀于铟锡氧化物透明导电层（5）上；负电极金属层（7）堆栈于N型氮化镓外延层（2）的曝露部分上；正电极金属层（8）堆栈于P型氮化镓外延层（4）上，且正电极金属层（8）与铟锡氧化物透明导电层（5）连接。
2.根据权利要求1所述的具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构，其特征在于：所述蓝宝石基板（1）是采用蓝宝石制成的。
3.根据权利要求1或2所述的具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构，其特征在于：所述镍纳米粒子层（6）是采用镍制成的。
4.根据权利要求1或2所述的具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构，其特征在于：所述镍纳米粒子层（6）是利用磁控溅镀系统制备而成，再以高温800℃热退火处理而形成纳米粒子结构。
5.根据权利要求3所述的具有镍铟锡氧化物自旋电子注入层的LED芯片结构，其特征在于：所述镍纳米粒子层（6）是利用磁控溅镀系统制备而成，再以高温800℃热退火处理而形成纳米粒子结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许并社;李学敏;刘旭光，未经许并社;李学敏;刘旭光许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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