[发明专利]平面式半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含以下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆上具有多个半导体元件，且所述晶圆的上表面上具有多个对应所述半导体元件的引线区域；

进行一第一绝缘覆盖步骤，以于所述晶圆的上表面、下表面分别成型一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中所述引线区域裸露于所述第一绝缘层；

在每一所述引线区域上成型一导电焊垫；

进行一切割步骤，以切割出单一的半导体元件；

进行一第二绝缘覆盖步骤，以在每一个切割后的半导体元件的侧面成型一第三绝缘层；以及

在每一个切割后的半导体元件的两端分别成型一端电极，所述端电极导接于所述导电焊垫。

2.根据权利要求1所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在进行所述第一绝缘覆盖步骤的步骤中，所述第一绝缘层上具有多个对应所述引线区域的穿孔，所述引线区域通过所述穿孔裸露于所述第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在进行所述切割步骤的步骤后，每一个切割后的半导体元件具有四个设于所述晶圆的上表面与下表面之间的所述侧面。

4.根据权利要求3所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在进行所述第二绝缘覆盖步骤的步骤中将所述第三绝缘层覆盖于四个所述侧面。

5.根据权利要求1所述的平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，在成型所述端电极的步骤中，包括以下步骤：

成型一电极层导接于所述导电焊垫；

成型一连接层覆盖于所述电极层。

6.一种平面式半导体元件，其特征在于，所述平面式半导体元件包括：

一由一晶圆所切割的半导体元件，其具有上表面、下表面及多个设于所述上表面与下表面之间的侧面，所述上表面上具有多个引线区域；

一覆盖于所述半导体元件的绝缘结构，所述绝缘结构包括一成型于所述上表面上的第一绝缘层、一成型于所述下表面上的第二绝缘层及一成型于所述侧面上的第三绝缘层，其中所述引线区域裸露于所述第一绝缘层；

对应地设于每一所述引线区域上的导电焊垫；以及

分别设于所述半导体元件的两端的端电极，所述端电极导接于所述导电焊垫。

7.根据权利要求6所述的平面式半导体元件，其特征在于，所述第一绝缘层上具有多个对应所述引线区域的穿孔，所述引线区域通过所述穿孔裸露于所述第一绝缘层并与所述导电焊垫相接触。

8.根据权利要求6所述的平面式半导体元件，其特征在于，所述端电极包括一导接于所述导电焊垫的电极层及一覆盖于所述电极层的连接层。

9.根据权利要求6所述的平面式半导体元件，其特征在于，所述端电极由所述上表面经由部分的所述侧面延伸至所述下表面。

10.根据权利要求6所述的平面式半导体元件，其特征在于，所述半导体元件的最大的长宽高尺寸为1.6mm×0.8mm×0.5mm。