[发明专利]基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201210011500.6 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102565024A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 温晓镭;王沛;张斗国;鲁拥华;明海 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 许玉明;贾玉忠 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 表面 等离子体 局域 耦合 效应 增强 散射 基底 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：采用湿化学法制备Ag颗粒，具体是利用乙二醇还原硝酸银，制得Ag纳米立方体，离心后获得Ag纳米立方体的水溶液；在干净的玻璃衬底上真空热蒸镀Ag，获得连续平整的纳米级Ag膜；在Ag膜上旋涂一层PMMA/苯甲醚溶液，烘干成膜，获得PMMA间隔层；在PMMA层上滴加Ag纳米立方体水溶液，自然晾干，得Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系。
2.如权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：采用的湿化学法制备Ag颗粒；在表面具有有序小孔的氧化铝模板上真空热蒸镀Ag，形成与模板表面结构相同的有序Ag纳米小孔阵列；在Ag纳米小孔阵列上旋涂一层PMMA/苯甲醚溶液，烘干成膜，获得PMMA间隔层；在PMMA层上滴加Ag纳米立方体水溶液，自然晾干，得Ag纳米颗粒与Ag纳米小孔阵列耦合体系。
3.如权利要求1所述的一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：在干净的玻璃衬底上单分散一层聚苯乙烯(PS)小球，再真空热蒸镀一层纳米级Ag膜，获得Ag纳米球帽与Ag纳米小孔耦合体系。
4.一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底，其特征在于：该基底由具有纳米级间隙的金属微纳结构组成，在间隙内存在表面等离子体激元局域场耦合效应；所述纳米级间隙的金属微纳结构具体包括以下三种体系之一：根据权利要求1所述的方法制得的Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系、根据权利要求2所述的方法制得的Ag纳米颗粒与Ag纳米小孔阵列耦合体系以及根据权利要求3所述的方法制得的Ag纳米球帽与Ag纳米小孔耦合体系。
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