[发明专利]锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201210010799.3 | 申请日: | 2012-01-14 |
公开(公告)号: | CN102557633A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 马卫兵;李建平;孙清池;刘志华;吴涛 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C04B35/49 | 分类号: | C04B35/49;C04B35/622 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 曹玉平 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 取代 锆钛酸铅 改性 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种以成分为特征的陶瓷组合物,尤其涉及一种锑锂复合取代PZT的压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
压电陶瓷是一种新兴的陶瓷材料,由于其压电性和多样的机电性能,近些年来得了飞速发展和广泛的应用。压电陶瓷是通过高温烧结之后,具有高介电常数、压电性及优异的机电耦合性能的一类多晶介电体,其中最具有代表性的就是锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷。
压电陶瓷产品的应用主要有以下几个类别:
①机械力源(电-机传感器):压电致动器,压电风扇,超声清洗等;
②传感器(机-电传感器):超声传感器,爆震传感器,振动传感器,加速传感器等;
③电子电路器件(传感器):陶瓷滤波器,陶瓷延迟器,表面波滤波器等。
许多公司目前都在致力于研究即开发上面所列出的这些压电产品。更期待新的压电材料的诞生,以用于更广泛的领域。
纯的PbTiO3-PbZrO3二元系的熔融温度在1300℃以上。烧结温度高,容易造成Pb的挥发,进而影响陶瓷的压电性能。此外在PZT二元体系中虽然通过调整Zr/Ti的调整可以改变材料的性能参数,但是单靠锆钛比的调整不能满足各种条件对材料性能的要求。Sb2O3常被人们用来作软性添加物对PZT进行改性,Sb5+作为电子施主添加到PZT中,倾向于取代钙钛矿结构(ABO3型)中的B位,使周围形成Pb2+空位。Pb2+空位的出现,使得电畴的运动变得相对容易。甚至很小的电场强度或机械应力都可以使畴壁发生移动。表现出介电常数,弹性柔顺系数的增大,同时损耗(tanδ)增加。由于电畴转向变得更容易了,极化后使得沿电场方向的电畴的数目增加。从而增加了剩余极化强度,使得压电系数大大增加。Li2CO3的熔点也比较低,在735℃便可以形成液相,同时Li+离子半径较小,当取代Pb2+时,可以降低c/a,提高材料的介电常数和压电性能。
发明内容
本发明的目的是在现有技术的基础上,提供一种获得综合电学性能更好的PZT压电陶瓷的制备方法。
本发明通过以下技术方案予以实现:
(1)配料
将原料Pb3O4、BaCO3、ZrO2、TiO2、Sb2O3、Li2CO3,按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料,其中x=1~3mol%。于球磨罐中混料,球磨介质为去离子水和ZrO2球,料∶球∶水的重量比为1∶2∶1,球磨机的转速为750r/min,球磨时间为6h;
(2)合成
将步骤(1)球磨后的粉料在60~100℃干燥箱中烘干,然后放入氧化铝坩埚内,加盖密封,于800℃~900℃之间合成2h;
(3)成型及排塑
将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干,外加7wt%的聚乙烯醇水溶液进行造粒,过筛后在400Mpa的压强下压制成型为坯体;然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃,再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃,在400℃保温30min后,以5℃/min的速率升至650℃并保温10min,排出有机物;
(4)烧结
将步骤(3)排出有机物的坯体采用锆钛酸铅粉料埋烧,以5℃/min速率升温至1200℃,保温2h,随炉冷却;
(5)烧银
将步骤(4)烧结好的压电陶瓷片表面磨平,采用丝网印刷工艺涂银,置于加热炉中,升温至735℃并保温10min,然后自然冷却至室温;
(6)极化
将步骤(5)的烧银制品,于120℃的硅油中,施加3KV/mm的直流电场,极化15min;
(7)测试压电性能
将步骤(6)极化处理的压电陶瓷片,于室温下静置24h后测试其压电性能。
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