[发明专利]锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210010799.3 申请日: 2012-01-14
公开(公告)号: CN102557633A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 马卫兵;李建平;孙清池;刘志华;吴涛 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C04B35/49 分类号: C04B35/49;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 曹玉平
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 复合 取代 锆钛酸铅 改性 压电 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高性能的锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷,其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3,其中x=1~3mol%。

2.根据权利要求1的高性能锑锂复合取代锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于,所述原料为Pb3O4、BaCO3、ZrO2、TiO2、Sb2O3和Li2CO3

3.权利要求1的高性能锑锂复合取代锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法,具有步骤如下:

(1)配料

将原料Pb3O4、BaCO3、ZrO2、TiO2、Sb2O3、Li2CO3,按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料,其中x=0~3mol%。于球磨罐中混料,球磨介质为去离子水和ZrO2球,料∶球∶水的重量比为1∶2∶1,球磨机的转速为750r/min,球磨时间为6h;

(2)合成

将步骤(1)球磨后的粉料在60~100℃干燥箱中烘干,然后放入氧化铝坩埚内,加盖密封,于800℃~900℃之间合成2h;

(3)成型及排塑

将步骤(2)的合成料再次球磨、烘干,外加7wt%的聚乙烯醇水溶液进行造粒,过筛后在400Mpa的压强下压制成型为坯体;然后以3℃/min的速率将坯体升温至200℃,再以1.5℃/min速率从200℃升至400℃,在400℃保温30min后,以5℃/min的速率升至650℃并保温10min,排出有机物;

(4)烧结

将步骤(3)排出有机物的坯体采用锆钛酸铅粉料埋烧,以5℃/min速率升温至1200℃,保温2h,随炉冷却;

(5)烧银

将步骤(4)烧结好的压电陶瓷片表面磨平,采用丝网印刷工艺涂银,置于加热炉中,升温至735℃并保温10min,然后自然冷却至室温;

(6)极化

将步骤(5)的烧银制品,于120℃的硅油中,施加3KV/mm的直流电场,极化15min;

(7)测试压电性能

将步骤(6)极化处理的压电陶瓷片,于室温下静置24h后测试其压电性能。

4.根据权利要求3的高性能锑锂复合取代锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的的最佳取代量为x=2mol%。

5.根据权利要求3的高性能锑锂复合取代锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于,所述所述步骤(2)的最佳合成温度为850℃。

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