[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201210009116.2 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102593292B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 陈怡名;徐子杰;王志贤;黄建富;陈世益 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光装置,更具体而言,是涉及一种具有多个凹槽的发光装置。
背景技术
固态发光元件中的发光二极管元件(Light Emitting Diode;LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快、以及可发出稳定波长的色光等良好光电特性,因此常应用于家电、仪表的指示灯及光电产品等领域。然而,如何去改善发光元件的发光效率在此领域中仍是一项很重要的议题。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种发光装置,其包含:一基板;一透明导电层,设置于基板上;一半导体窗户层,形成于透明导电层上且具有一平坦表面及多个凹槽,其中每一凹槽具有一侧壁表面;及一发光叠层,形成于半导体窗户层上且包含一第一半导体层、一第二半导体层、一位于第一和第二半导体之间的活性层。此些凹槽中的至少其中一个的侧壁表面相对于平坦表面倾斜,且平坦表面与透明导电层之间的接触电阻小于侧壁表面与透明导电层之间的接触电阻。
本发明另提供一种发光装置,其包含:一基板;一透明导电层,设置于基板上;一半导体窗户层,形成于透明导电层上且具有一平坦表面及多个凹槽,其中每一凹槽具有一侧壁表面;一欧姆接触层,形成于半导体窗户层与透明导电层之间;及一发光叠层,形成于半导体窗户层上且包含一第一半导体层、一第二半导体层、一位于第一和第二半导体之间的活性层。半导体窗户层与欧姆接触层包含相同材料。
附图说明
图1为本发明第一实施例的一发光装置的一剖视图;
图2为本发明第二实施例的一发光装置的一剖视图;
图3为本发明第三实施例的一发光装置的一剖视图;
图4A-图4C显示本发明凹槽的俯视图;
图5A-图5G为本发明第二实施例的发光装置的制造方法剖视图。
主要元件符号说明
100、200、300:发光装置
10:基板
11:反射层
12:透明导电层
13:欧姆接触层
14:半导体窗户层
141:平坦表面
142:凹槽
1421:侧壁表面
1422:凹槽表面
15:发光叠层
151:p型半导体层
152:活性层
153:n型半导体层
16:n侧电极
160、160′、160″:打线垫
161、161′、161″:延伸部
17:p侧电极
18:连结层
具体实施方式
以下实施例将伴随着附图说明本发明的概念,在附图或说明中,相似或相同的部分使用相同的标号,并且在附图中,元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是,图中未绘示或描述的元件,可以是熟悉此技术的人士所知的形式。
图1为本发明第一实施例的一发光装置100的示意图。发光装置100包含一永久基板10、一连结层18、一反射层11、一透明导电层12、一欧姆接触层13、一半导体窗户层14及一发光叠层15。发光叠层15包含一p型半导体层151、一n型半导体层153及一位于p型半导体层151与n型半导体层153之间的活性层152。半导体窗户层14具有一平坦表面141及多个凹槽142。每一凹槽142具有一侧壁表面1421,相对于平坦表面141倾斜且与之夹一大于90°而小于180°的角度(θ)。较佳地,角度(θ)介于110°到160°之间。在本实施例中,凹槽142的剖面为三角形。欧姆接触层13形成于半导体窗户层14与透明导电层12间,且对应于半导体窗户层14的平坦表面141的位置上。欧姆接触层13的表面积与半导体窗户层14的表面积的面积比介于10%至90%。凹槽142具有一深度(H)且凹槽142的深度与半导体窗户层14的厚度(T)的一深度比介于20%至80%。
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