[发明专利]一种电路、阵列基板及制作方法、显示器有效
申请号: | 201210004964.4 | 申请日: | 2012-01-09 |
公开(公告)号: | CN102629621A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 陈海晶 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;G09G3/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电路 阵列 制作方法 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及显示器制造领域,尤其涉及一种电路、阵列基板及制作方法、显示器。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光器件)显示器是新一代的显示器,与液晶显示器相比,具有很多优点如:自发光,响应速度快,宽视角等,可以用于柔性显示,透明显示,3D显示等。
OLED显示器包括:OLED阵列基板以及有机发光器件;其中有机发光器件的结构主要包括:阳极、阴极以及有机功能层;其中有机功能层还可以进一步细分为:空穴传输功能层(HTL层)、发光功能层(EML层)、电子传输功能层(ETL层)等等。其主要的工作原理是有机功能层在阳极和阴极所形成电场的驱动下,通过载流子注入和复合而导致发光。
OLED显示器可以分为有源矩阵OLED显示器和无源矩阵OLED显示器。目前在大屏、高分辨率的显示领域,有源矩阵OLED显示器应用较为广泛。有源矩阵OLED显示器的阵列基板上形成有阵列形式的多个像素单元,每个像素单元中都包含有两个薄膜晶体管——作为像素单元开关的开关薄膜晶体管以及用于连接电源线驱动OLED阵列基板上的驱动薄膜晶体管。其中,现有技术中两个薄膜晶体管都为底栅型结构,这就使得开关薄膜晶体管的漏极需要通过过孔和驱动薄膜晶体管的栅极相连。显然,这就需要在制作完成钝化层之后,在两个薄膜晶体管需要连接的位置制作过孔打穿两层绝缘层,以使得两薄膜晶体管相连。但这样的连接工艺比较复杂,在一定程度上影响产率。
发明内容
本发明的实施例提供的一种电路、阵列基板及制作方法、显示器,用以简化显示器生产过程中的制作工艺。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种电路,至少包括相连的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接,所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。
一种阵列基板,包括:相互垂直的扫描线和数据线,与数据线平行的电源线,以及所述扫描线和数据线所限定的像素单元;在所述像素单元内至少形成有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管;其中,所述开关薄膜晶体管的栅极和所述扫描线电性连接、源极和所述数据线电性连接,漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接;所述驱动薄膜晶体管的源极和所述电源线电性连接,漏极和有机发光器件的阳极电性连接;并且,所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置。
一种显示器,包括:上述的阵列基板以及有机发光器件;其中,所述有机发光器件包括:阳极、阴极和有机功能层。
一种阵列基板的制作方法,包括:
在衬底基板上制作底层导电薄膜,并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线;
制作第一绝缘层;
制作半导体薄膜,并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层;
制作第二绝缘层,并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔,在覆盖驱动薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔;
制作顶层导电薄膜,覆盖上述第二绝缘层上的过孔,并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极,驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线;其中,开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连,驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连,且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连;
制作第三绝缘层,并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。
一种阵列基板的制作方法,包括:
在衬底基板上制作底层导电薄膜,并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极,驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线;其中,开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连,驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连,且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连;
制作第一绝缘层,并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管源极、漏极,驱动薄膜晶体管源极、漏极的第一绝缘层上分别形成过孔;
制作半导体薄膜,覆盖上述第一绝缘层上的过孔,并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层;
制作第二绝缘层;
制作顶层导电薄膜,并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线;
制作第三绝缘层,并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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