[发明专利]一种电路、阵列基板及制作方法、显示器

权利要求书

1.一种电路，其特征在于，至少包括相连的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接，所述第一薄膜晶体管的漏极和所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为开关薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极连接扫描信号、源极连接数据信号，漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接；所述驱动薄膜晶体管的源极连接电源信号，漏极和有机发光器件的阳极电性连接；所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置，且利用同一次构图工艺形成。

3.一种阵列基板，包括：相互垂直的扫描线和数据线，与数据线平行的电源线，以及所述扫描线和数据线所限定的像素单元；在所述像素单元内至少形成有开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管；其中，所述开关薄膜晶体管的栅极和所述扫描线电性连接、源极和所述数据线电性连接，漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接；所述驱动薄膜晶体管的源极和所述电源线电性连接，漏极和有机发光器件的阳极电性连接；其特征在于，所述开关薄膜晶体管的漏极和所述驱动薄膜晶体管的栅极同层设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极为底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；

所述开关薄膜晶体管的源、漏极，以及所述驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极为顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的源、漏极，以及所述驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极为底层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分；

所述开关薄膜晶体管的栅极为顶层导电薄膜经过构图工艺所形成图案的一部分。

6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极和所述开关薄膜晶体管的有源层之间绝缘层的厚度比所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述驱动薄膜晶体管的有源层之间绝缘层的厚度大。

7.根据权利要求3-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的有源层和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层的材料为氧化物半导体。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的有源层和/或所述驱动薄膜晶体管的有源层的材料为含有铟、镓、锌中至少一种金属的氧化物半导体。

9.一种显示器，其特征在于，包括：权利要求3-8任一项所述的阵列基板以及有机发光器件；其中，所述有机发光器件包括：阳极、阴极和有机功能层。

10.一种权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线；

制作第一绝缘层；

制作半导体薄膜，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层；

制作第二绝缘层，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔，在覆盖驱动薄膜晶体管有源层上的第二绝缘层上形成两个过孔；

制作顶层导电薄膜，覆盖上述第二绝缘层上的过孔，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线；其中，开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连；

制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。

11.一种权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制作底层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的源、漏极，驱动薄膜晶体管的栅极和源、漏极以及数据线、电源线；其中，开关薄膜晶体管的源极和数据线直接相连，驱动薄膜晶体管的源极和电源线直接相连，且开关薄膜晶体管的漏极和驱动薄膜晶体管的栅极直接相连；

制作第一绝缘层，并通过过孔连接工艺至少在覆盖开关薄膜晶体管源极、漏极，驱动薄膜晶体管源极、漏极的第一绝缘层上分别形成过孔；

制作半导体薄膜，覆盖上述第一绝缘层上的过孔，并通过构图工艺形成开关薄膜晶体管的有源层、驱动薄膜晶体管的有源层；

制作第二绝缘层；

制作顶层导电薄膜，并通过构图工艺至少形成开关薄膜晶体管的栅极和扫描线；

制作第三绝缘层，并在该第三绝缘层上形成用于与有机发光器件的阳极电性连接的过孔。