[发明专利]半导体单元和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多条埋入式位线；以及

多个位线接面区域，其设置在所述埋入式位线之间并与所述埋入式位线相连，各个位线接面区域均呈岛形。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述多条埋入式位线均具有直线形。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述多条埋入式位线均包括从如下群组中选择的至少一者，所述群组包括氮化钛层、多晶硅层和钴层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

一侧触点，其设置在所述埋入式位线的一侧。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述位线接面区域经由所述一侧触点而与所述埋入式位线相连。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述多个位线接面区域设置为与在与所述多条埋入式位线的方向相同的方向上设置的相邻位线接面区域隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

覆盖层，其设置在所述多条埋入式位线上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述覆盖层包括氮化物层。

9.一种半导体单元，包括：

晶体管，其包括栅极和栅极接面区域；

多条埋入式位线，其设置为与所述栅极交叉；以及

多个位线接面区域，各个位线接面区域呈岛形，形成在所述埋入式位线之间并与所述埋入式位线相连。

10.根据权利要求9所述的半导体单元，还包括：

存储单元，其与所述栅极接面区域相连。

11.根据权利要求10所述的半导体单元，其中，

所述存储单元包括电容器。

12.根据权利要求9所述的半导体单元，其中，

所述栅极是竖直栅极。

13.根据权利要求9所述的半导体单元，其中，

所述埋入式位线包括从如下群组中选择的任意一者，所述群组包括氮化钛层、多晶硅层、钴层和它们的组合。

14.根据权利要求9所述的半导体单元，还包括：

一侧触点，其设置在所述埋入式位线的一侧。

15.根据权利要求14所述的半导体单元，其中，

所述位线接面区域经由所述一侧触点而与所述埋入式位线相连。

16.根据权利要求9所述的半导体单元，其中，

所述多个位线接面区域设置为与在与所述多条埋入式位线的方向相同的方向上设置的相邻位线接面区域隔开。

17.一种半导体器件，包括：

核心电路区域；以及

半导体单元阵列，其包括多个如权利要求9所述的半导体单元。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，

所述核心电路区域包括：

行译码器，其选择所述半导体单元阵列的字线；

列译码器，其选择所述半导体单元阵列的位线；以及

读出放大器，其读出存储在所述行译码器和所述列译码器所选择的半导体单元中的数据。

19.一种半导体组件，包括：

如权利要求17所述的半导体器件；以及

外部输入输出线路。

20.根据权利要求19所述的半导体组件，其中，

所述半导体器件还包括：

数据输入缓冲器；

指令地址输入缓冲器；以及

电阻单元。

21.根据权利要求20所述的半导体组件，还包括：

外部指令地址总线，其向所述指令地址输入缓冲器发送指令/地址信号；以及

电阻单元。

22.根据权利要求19所述的半导体组件，其中，

所述外部输入输出线路与所述半导体器件相连。

23.一种半导体系统，包括：

如权利要求19所述的半导体组件；以及

控制器，其与所述半导体组件交换数据和指令/地址。