[发明专利]一种扩展PFC功率的电路及一种PFC电路无效
申请号: | 201210002166.8 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN102570791A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 阮世良 | 申请(专利权)人: | 深圳市高斯宝电气技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/42 | 分类号: | H02M1/42 |
代理公司: | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人: | 王翀 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩展 pfc 功率 电路 | ||
1.一种PFC电路,包括整流桥和控制芯片,整流桥的负极输出端接地,其特征在于:还包括至少两个PFC支路和充电电容,每个PFC支路包括第一电感、MOS管和第一二极管;
在每个PFC支路里,第一电感的一端与整流桥的正极输出端连接,第一电感的另一端分别与MOS管的漏极、第一二极管的正极连接,第一二极管的负极分别与充电电容的正极、控制芯片的反馈端连接,充电电容的负极接地;MOS管的源极通过采样电阻接地,MOS管的栅极与控制芯片的驱动信号端连接,MOS管的源极和采样电阻的连接点通过相应的限流电阻与控制芯片的电流检测端连接,第一电感的检测端通过第二二极管与控制芯片的电流过零检测端连接,其中,第一电感的检测端与第二二极管的正极连接;
在一个周期里,开始时控制芯片向每个MOS管的栅极输出高电平信号,每个MOS管导通;在控制芯片检测到流经采样电阻的电流大于预定值时,向每个MOS管的栅极输出低电平信号,每个MOS管关闭,在每个PFC支路里,电流经第一电感、第一二极管对充电电容充电;在控制芯片检测到第一电感里的电流降到0时,向每个MOS管的栅极输出高电平信号。
2.根据权利要求1所述的PFC电路,其特征在于:整流桥的正极输出端和负极输出端之间连接有第一电容。
3.根据权利要求1或2所述的PFC电路,其特征在于:每个PFC支路还包括滤波电容和滤波电感,滤波电感连接在整流桥的正极输出端和第一电感之间,滤波电容连接在滤波电感和第一电感的连接点与整流桥的负极输出端之间。
4.根据权利要求3所述的PFC电路,其特征在于:各个PFC支路里的MOS管的源极和采样电阻的连接点分别连接。
5.一种扩展PFC功率的电路,其特征在于,包括:控制芯片、至少两个PFC支路和充电电容,每个PFC支路包括第一电感、MOS管和第一二极管;
在每个PFC支路里,第一电感的一端与整流桥的正极输出端连接,第一电感的另一端分别与MOS管的漏极、第一二极管的正极连接,第一二极管的负极分别与充电电容的正极、控制芯片的反馈端连接,充电电容的负极接地;MOS管的源极通过采样电阻接地,MOS管的栅极与控制芯片的驱动信号端连接,MOS管的源极和采样电阻的连接点通过相应的限流电阻与控制芯片的电流检测端连接,第一电感的检测端通过第二二极管与控制芯片的电流过零检测端连接,其中,第一电感的检测端与第二二极管的正极连接;
在一个周期里,开始时控制芯片向每个MOS管的栅极输出高电平信号,每个MOS管导通;在控制芯片检测到流经采样电阻的电流大于预定值时,向每个MOS管的栅极输出低电平信号,每个MOS管关闭,在每个PFC支路里,电流经第一电感、第一二极管对充电电容充电;在控制芯片检测到第一电感里的电流降到0时,向每个MOS管的栅极输出高电平信号。
6.根据权利要求5所述的扩展PFC功率的电路,其特征在于:每个PFC支路还包括滤波电容和滤波电感,滤波电感连接在整流桥的正极输出端和第一电感之间,滤波电容连接在滤波电感和第一电感的连接点与整流桥的负极输出端之间。
7.根据权利要求5或6所述的扩展PFC功率的电路,其特征在于:各个PFC支路里的MOS管的源极和采样电阻的连接点分别连接。
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