[发明专利]钙钛矿粉末及其制备方法和多层陶瓷电子元件有效

专利信息
申请号: 201210001751.6 申请日: 2012-01-05
公开(公告)号: CN103030403B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 全炯俊;崔畅学;刘正勋;金昶勋;朴今珍;白惠英 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30;C04B35/628;C04B35/468;C04B35/49;C04B35/462;C04B35/505;C04B35/50
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司11283 代理人: 王浩然,王凤桐
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 粉末 及其 制备 方法 多层 陶瓷 电子元件
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿粉末,所述钙钛矿粉末包括形成在所述钙钛矿粉末的颗粒的表面的涂层,并且所述涂层选自由硫化物和含有硫磺的盐组成的组中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿粉末,其中,所述硫化物包括硫酸铵。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿粉末,其中,所述含有硫磺的盐包括选自由磷酸盐和醋酸盐组成的组中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿粉末,其中,所述涂层具有0.1-10nm的厚度。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿粉末,其中,所述钙钛矿粉末包括选自由BaTiO3、BaTixZr1-xO3、BaxY1-xTiO3、BaxDy1-xTiO3和BaxHo1-xTiO3组成的组中的一种或多种,其中0<x<1。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿粉末,其中,所述钙钛矿粉末具有10-150nm的平均粒径。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿粉末,其中,所述钙钛矿粉末具有1.001-1.010的晶轴c/a比例。

8.一种制备钙钛矿粉末的方法,该方法包括:

混合金属盐和金属氧化物以形成钙钛矿颗粒核;

混合所述钙钛矿颗粒核和溶于纯净水中的选自由硫化物和含有硫磺的盐组成的组中的一种或多种,以形成混合物;以及

利用水热处理从所述混合物中生长颗粒以得到包括形成在所述钙钛矿粉末颗粒的表面的涂层的所述钙钛矿粉末,并且涂层选自由硫化物和含有硫磺的盐组成的组中的一种或多种。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述硫化物包括硫酸铵。

10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述含有硫磺的盐包括选自由磷酸盐和醋酸盐组成的组中的一种或多种。

11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述金属盐包括氢氧化钡、或者氢氧化钡和稀土盐的混合物。

12.根据权利要求8所述的方法,其中,所述金属氧化物包括氧化钛或氧化锆。

13.根据权利要求8所述的方法,其中,所述涂层具有0.1-10nm的厚度。

14.根据权利要求8所述的方法,其中,所述钙钛矿粉末具有10-150nm的平均粒径。

15.根据权利要求8所述的方法,其中,所述钙钛矿粉末包括选自由BaTiO3、BaTixZr1-xO3、BaxY1-xTiO3、BaxDy1-xTiO3和BaxHo1-xTiO3组成的组中的一种或多种,其中0<x<1。

16.根据权利要求8所述的方法,其中,所述钙钛矿粉末具有1.001-1.010的晶轴c/a比例。

17.一种多层陶瓷电子元件,所述多层陶瓷电子元件包括:

陶瓷主体,所述陶瓷主体包括电介质层以及内电极层;所述电介质层包括钙钛矿粉末,所述钙钛矿粉末具有形成在所述钙钛矿粉末颗粒表面的涂层,并且所述涂层选自由硫化物和含有硫磺的盐组成的组中的一种或多种;当在所述陶瓷主体内部具有所述电介质层插入到内电极层之间时,所述内电极层彼此相对。

18.根据权利要求17所述的多层陶瓷电子元件,其中,所述涂层具有0.1-10nm的厚度。

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