[发明专利]画素结构无效
申请号: | 201210001715.X | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN102445803A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 黄隽尧;陈柏玮;马竣人;许宇婵 | 申请(专利权)人: | 福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1345 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350015 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 | ||
技术领域
本发明是有关于一种画素结构,且特别是有关于一种可改善光漏电问题的画素结构。
背景技术
平面显示器具有轻薄、省电、低辐射等优点,因此已成为显示产业中的主流。平面显示器包括液晶显示器以及有机电激发光显示器,其中液晶显示器具有低成本的优势,因此已普遍地被应用在各类电子产品中。
一般而言,液晶显示器包括液晶显示面板以及提供液晶显示面板光源的背光模块。液晶显示面板具有多个画素结构的主动元件阵列基板、相对于主动元件阵列基板的对向基板、以及位于主动元件阵列基板与对向基板之间的液晶层。画素结构包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电性连接的画素电极。背光模块所提供的光线穿过液晶显示面板,进而使液晶显示器可显示画面。然而,在公知技术中,薄膜晶体管的通道可能被背光模块提供的光线所照射到,而使薄膜晶体管发生光漏电问题,进而影响液晶显示面板的显示质量。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种画素结构,其可改善薄膜晶体管的光漏电问题。
本发明提供一种画素结构,包括基板、遮光导电图案、第一绝缘层、薄膜晶体管以及画素电极。遮光导电图案位于基板上。第一绝缘层覆盖基板以及遮光导电图案。第一绝缘层位于薄膜晶体管与基板之间。薄膜晶体管具有通道。薄膜晶体管的通道被遮光导电图案完全地遮蔽。画素电极与薄膜晶体管电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的画素结构更包括:与薄膜晶体管电性连接的扫描线,其中遮光导电图案与扫描线重叠。
在本发明的一实施例中,上述的扫描线具有被第一贯孔截出的第一边缘及第二边缘。第一边缘及第二边缘与遮光导电图案实质上重叠,且第一边缘透过遮光导电图与第二边缘电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的画素结构更包括:与画素电极重叠的储存电容图案,其中遮光导电图案与储存电容图案重叠。
在本发明的一实施例中,上述的储存电容图案具有被第二贯孔截出的第三边缘及第四边缘。第三边缘及第四边缘与遮光导电图案实质上重叠,且第三边缘透过遮光导电图与第四边缘电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的薄膜晶体管更具有源极、汲极以及闸极。源极与汲极分别位于通道层相对两侧且与通道层重叠。汲极与画素电极电性连接。闸极与源极、汲极以及通道层重叠。
在本发明的一实施例中,上述的画素结构,更包括:与源极电性连接的资料线、与资料线交错且与闸极电性连接的扫描线以及与画素电极重叠的储存电容图案。
在本发明的一实施例中,上述的闸极、扫描线以及储存电容图案属于同一膜层。
在本发明的一实施例中,上述的画素结构,更包括:第二绝缘层。第二绝缘层覆盖闸极、扫描线、储存电容图案以及基板,且位于通道层与闸极之间。
在本发明的一实施例中,上述的画素结构,更包括:第三绝缘层。第三绝缘层覆盖薄膜晶体管以及基板。第三绝缘层具有开口。此开口曝露出薄膜晶体管的汲极。画素电极填入此开口而与薄膜晶体管的汲极接触。
基于上述,在本发明的画素结构中,遮光导电图案可利用完全遮蔽薄膜晶体管的通道,而可减少薄膜晶体管的通道被光线照射到的机率。如此一来,公知技术中薄膜晶体管的光漏电问题便可获得改善。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明一实施例的画素结构的俯视示意图。
图1B是对应图1A的剖线A-A’所绘的剖面图。
图2A是图1A的画素结构的扫描线发生断线的情形。
图2B为沿图2A的剖线B-B’所绘的剖面图。
图3A是图1A的画素结构的储存电容图案发生断线的情形。
图3B为沿图3A的剖线C-C’所绘的剖面图。
图中:100画素结构,110基板,120遮光导电图案,130第一绝缘层,140储存电容图案,150第二绝缘层,160第三绝缘层,160a开口,170导电材料,CH通道,D汲极,DL资料线,E1~E4边缘;G闸极,H1、H2贯孔,L雷射,PE画素电极,S源极,SL扫描线,T薄膜晶体管。
具体实施方式
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