[发明专利]画素结构

权利要求书

1.一种画素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一遮光导电图案，位于该基板上；

一第一绝缘层，覆盖该基板以及该遮光导电图案；

一薄膜晶体管，该第一绝缘层位于该薄膜晶体管与该基板之间，其中该薄膜晶体管具有一通道层，该薄膜晶体管的该通道层被该遮光导电图案完全地遮蔽；以及

一画素电极，与该薄膜晶体管电性连接。

2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，更包括：与该薄膜晶体管电性连接的一扫描线，其中该遮光导电图案与该扫描线重叠。

3.根据权利要求2所述的画素结构，其特征在于，该扫描线具有被一第一贯孔截出的一第一边缘及一第二边缘，该第一边缘及该第二边缘与该遮光导电图案实质上重叠，且该第一边缘透过该遮光导电图与该第二边缘电性连接。

4.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，更包括：与该画素电极重叠的一储存电容图案，其中该遮光导电图案与该储存电容图案重叠。

5.根据权利要求4所述的画素结构，其特征在于，该储存电容图案具有被一第二贯孔截出的一第三边缘及一第四边缘，该第三边缘及该第四边缘与该遮光导电图案实质上重叠，且该第三边缘透过该遮光导电图与该第四边缘电性连接。

6.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该薄膜晶体管更具有：

一源极与一汲极，分别位于该通道层相对两侧且与该通道层重叠，而该汲极与该画素电极电性连接；以及

一闸极，与该源极、该汲极以及该通道层重叠。

7.根据权利要求6所述的画素结构，其特征在于，更包括：

一资料线，与该源极电性连接；

一扫描线，与该资料线交错且与该闸极电性连接：

一储存电容图案，与该画素电极重叠。

8.根据权利要求7所述的画素结构，其特征在于，该闸极、该扫描线以及该储存电容图案属于同一膜层。

9.根据权利要求8所述的画素结构，其特征在于，更包括：一第二绝缘层，覆盖该闸极、该扫描线、该储存电容图案以及该基板，且位于该通道层与该闸极之间。

10.根据权利要求9所述的画素结构，其特征在于，更包括：一第三绝缘层，覆盖该薄膜晶体管以及该基板，该第三绝缘层具有一开口，该开口曝露出该薄膜晶体管的该汲极，该画素电极填入该开口而与该薄膜晶体管的该汲极接触。