[发明专利]栅控二极管半导体存储器器件的制备方法

权利要求书

1.一种栅控二极管半导体存储器器件的制备方法，其特征在于具体步骤包括：

提供一个重掺杂的n型硅衬底；

在所述n型硅衬底之上形成第一种绝缘薄膜；

在所述第一种绝缘薄膜之上形成一层ZnO层；

刻蚀所述ZnO层形成有源区；

在所述ZnO介质层之上形成第二种绝缘薄膜；

刻蚀所述第二种绝缘薄膜形成窗口，该窗口位于ZnO有源区的一端；

在所述第二种绝缘薄膜上旋涂一层具有第一种掺杂类型的旋涂介质，该旋涂介质与所述第二种绝缘薄膜的窗口处与ZnO接触；

利用高温扩散工艺在所述ZnO介质层内的所述第二种绝缘薄膜的窗口处形成具有第一种掺杂类型的掺杂区，即源区，其它部位的ZnO因有第二种绝缘薄膜阻挡而未被掺杂；

剥除剩余的具有第一种掺杂类型的旋涂介质；

通过光刻定义出图形，刻蚀所述第二种绝缘薄膜定义出漏区、沟道区的位置，其中漏区在ZnO有源区上与源区相反的一侧，沟道区在源区和漏区之间； 

淀积形成第三种绝缘薄膜；

淀积第一层导电材料作为浮栅导电材料，通过光刻及刻蚀，定义出浮栅导电材料的浮栅区图形，所述浮栅区图形为方块状，介于ZnO有源区之上的源区和ZnO另一端边缘的漏区之间，所述浮栅区与源区不直接相邻，其间距为10纳米至100微米，所述浮栅区与ZnO的边缘距离为10纳米至100微米；

覆盖所述浮栅及有源区的暴露部位形成第四种绝缘薄膜；

刻蚀掉源区和漏区之上的所述第四种绝缘薄膜定义出漏极接触孔、源极接触孔的位置；

淀积形成第二种导电薄膜并刻蚀所述第二种导电薄膜形成分别独立的漏极电极、栅极电极、源极电极，其中源极电极通过源极接触孔接触到浮栅区的一侧的源区上，漏区电极通过漏区接触孔接触到浮栅区的另一侧的ZnO漏区上，栅极电极覆盖在所述浮栅区之上的未被刻蚀的第四种绝缘薄膜之上。

2.根据权利要求1所述的栅控二极管半导体存储器器件的制备方法，其特征在于，所述的第一种绝缘薄膜为氧化硅，其厚度范围为1-500纳米。

3.根据权利要求1所述的栅控二极管半导体存储器器件的制备方法，其特征在于，所述的第二种绝缘薄膜为氧化硅或者氮化硅。

4.根据权利要求1所述的栅控二极管半导体存储器器件的制备方法，其特征在于，所述的第三种、第四种绝缘薄膜为SiO₂、Si₃N₄或者HfO₂高介电常数材料。

5.根据权利要求1所述的栅控二极管半导体存储器器件的制造方法，其特征在于，所述的ZnO介质层的厚度范围为1-100纳米。

6.根据权利要求1所述的栅控二极管半导体存储器器件的制备方法，其特征在于，所述的第一、二种导电薄膜为重掺杂多晶硅、铜、钨、铝、氮化钛或者为氮化钽。

7.根据权利要求1所述的栅控二极管半导体存储器器件的制备方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为p型掺杂。