[发明专利]基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元

权利要求书

1.一种基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元，其特征在于：由一个四输入的SET/MOS混合电路和第一、二反相器构成，所述的第一、二反相器的输出端各自与所述SET/MOS混合电路的一输入端连接；所述的SET/MOS混合电路的逻辑满足逻辑方程：

其中W_i为输入X_i对应的权重，n为输入的个数, θ为阈值。

2.根据权利要求1所述的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元，其特征在于：所述可重构阈值逻辑单元的阈值逻辑功能表达式为：；其通过4个输入x₁, x₂, x₃, x₄的不同组合，能实现或、或非、与、与非的逻辑功能，该或、或非、与、与非为线性函数，能够直接用以下阈值逻辑门表示：

    ；   

    ； 

    ；  

    。

3. 根据权利要求1所述的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元，其特征在于，

所述的SET/MOS混合电路包括：

一PMOS管，其源极接电源端V_dd；

一NMOS管，其漏极与所述PMOS管的漏极连接；以及

一SET管，与所述NMOS管的源极连接。

4.根据权利要求3所述的基于SET/MOS混合结构的可重构阈值逻辑单元，其特征在于：所述的PMOS管的参数满足：W_p为22 nm，L_p为66 nm，V_pg为0. 4V；所述NMOS管的参数满足：W_n为22 nm，L_n为66 nm，V_ng为0.4 V；所述SET管的参数满足：隧穿结电C_s,、C_d为0.1aF，R_s,、R_d为150 KΩ，V_ctrl为0.8 V，C_ctrl为0.1050 aF，C₀为0.052 aF，C₁为0.026 aF。