[其他]混合块件和CVD系统

说明书

实用新型背景 

1.实用新型领域 

本实用新型关于用于CVD工艺的混合块件。 

2.现有技术的描述 

在集成电路、液晶显示器、平板与其他电子设备的制造中，多重材料层沉积在基板上，并且从该基板蚀刻出这些多重材料层。用于制造此设备的处理系统一般包括数个连接到中央传送腔室的真空处理腔室，以使基板保持在真空环境中。诸如物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、等离子体增强CVD（PECVD）、蚀刻、与退火等数个顺序处理步骤可分别地在这些处理腔室中执行。 

在一些PECVD系统中，TEOS（四乙氧单硅烷）前驱物用于沉积含硅材料。一些系统中，TEOS前驱物与清洁剂行进通过公共供应导管。由于清洁气体的反应活性造成的导管内温度上升可能会将导管加热到递送TEOS前驱物所期望的范围之上。因此，在清洁之后而在公共导管冷却到期望范围内的稳态温度之前，可能发生工艺偏移。再者，配置在导管内的静态型混合构件冷却缓慢（这是由于该构件与导管壁接触不良所致），因而进一步增加需要将导管冷却到TEOS沉积期望的稳态温度的时间。 

因此，需要一种设备与方法，以维持混合块件的温度。 

实用新型概要 

本实用新型的一个态样中，提供用于混合多种前驱物及/或清洁剂的混合块件。 

在一个实施例中，本实用新型的混合块件是由单一块体的材料形成，并且该混合块件包含一体成形混合结构、两个前驱物递送通口、公共出口通口与至少一个通路。该一体成形混合结构具有第一腔室与第二腔室。该第一腔室与该第二腔室被该混合结构隔开，其中该混合结构是该混合块件的单一部件。所述 两个前驱物递送通口耦接该第一腔室以用于分别递送至少一种预定的流体。该共同出口通口耦接该第二腔室。此外，所述通路形成于该混合块件中以用于使一冷却流体得以流过该混合块件。在一些实施例中，该第一腔室与该第二腔室可为形成在该混合块件中的同心钻孔，并且该第一腔室与该第二腔室被该混合结构隔开，其中该混合结构可以是一材料的腹板（web），该材料的腹板具有偏位（offset）开口，该偏位开口在流体从该第一腔室移动到该第二腔室时生成紊流。所述两个前驱物递送通口可为TEOS递送通口及氧递送通口，该TEOS递送通口用于递送TEOS，而该氧递送通口用于递送氧及/或NF₃（三氟化氮）或其他清洁剂，其中该TEOS递送通口与氧递送通口被偏位以促进该第一腔室内的紊流式混合。 

本实用新型的另一实施例大体上提供一种CVD系统，该系统包含先前所述的混合块件、风扇、与加热器。该风扇经定位以在该混合块件的外部上吹送空气。该加热器缠绕于该混合块件周围，以加热该混合块件。 

相较于现有技术，本实用新型提供由单独块体的材料形成的混合块件。该混合块件包含一体成形混合结构，该结构具有第一腔室与第二腔室。该第一腔室与该第二腔室被混合构件隔开，其中该混合构件是该混合块件的单一部件。此外，至少一个通路形成于该混合块件中以用于使冷却流体得以流过该混合块件。据此，本实用新型的混合块件适合用于通过依所需地加热或冷却混合块件，而在前驱物递送与清洁期间将该混合块件的温度维持在预定范围内。 

本领域技术人员在阅读随后的优选实施例（说明于随后的图示和图画中）的详细说明后，毫无疑问能明了本实用新型的宗旨。 

附图简要说明 

藉由参考附图中所说明的本实用新型实施例，可获得于实用新型内容中简要总结的本实用新型的更详细的说明，而能详细得到和了解本实用新型的上述特征。 

图1是本文所述的混合块件的一个实施例的概略视图。 

图2是图1沿线段A-A所取的剖面视图。 

图3是图1沿线段B-B所取的剖面视图。 

图4是本文所述的CVD系统的一个实施例的功能方块图。 

为了助于了解，如可能则使用相同元件符号指定公用于各图的相同元件。 应了解一个实施例的元件与特征可有利地结合其他实施例而无须进一步阐述。 

然而应注意附图仅说明此实用新型的示范性实施例，而不应将这些附图视为限制本实用新型的范畴，因为本实用新型可容许其他等效实施例。 

详细说明 

本实用新型的实施例大体上提供一种用于混合多种前驱物及/或清洁剂的混合块件，该混合块件的优点是维持温度并且改善前驱物、清洁剂、或该二者的混合物的混合效应，以消除基板之间的差异，因而提供改善的工艺均匀性。