[其他]混合块件和CVD系统有效
申请号: | 201190000531.0 | 申请日: | 2011-06-24 |
公开(公告)号: | CN202996788U | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | D·李;W·王;W·N·斯特林;S·H·金;崔寿永;朴范洙;B·S·金;王群华 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/205;C23C16/448 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 cvd 系统 | ||
1.一种混合块件,其特征在于,所述混合块件包含:
主体,所述主体由单独块体的材料形成;
一体成形混合结构,所述一体成形混合结构具有第一腔室与第二腔室,所述第一腔室与所述第二腔室被混合构件隔开,其中所述混合构件是所述主体的单一部件;
两个前驱物递送通口,所述前驱物递送通口形成于所述主体中并且耦接所述第一腔室;
公共出口通口,所述公共出口通口形成于所述主体中并且耦接所述第二腔室;以及
至少一个通路,所述通路形成于所述主体中以使温度控制流体得以流过所述主体。
2.如权利要求1所述的混合块件,其特征在于,所述第一腔室与所述第二腔室是由所述混合构件隔开的同心钻孔。
3.如权利要求1所述的混合块件,其特征在于,所述混合构件是材料的腹板。
4.如权利要求3所述的混合块件,其特征在于,所述材料的腹板具有偏位开口。
5.如权利要求1所述的混合块件,所述混合块件进一步包含:
一或多个加热器,所述加热器耦接所述主体。
6.如权利要求1所述的混合块件,其特征在于,所述递送通口经偏位以促进在所述第一腔室内的紊流式混合。
7.一种CVD系统,其特征在于,所述CVD系统包含:
处理腔室;
混合块件,所述混合块件耦接所述处理腔室,所述混合块件包含:
主体;
混合结构,所述混合结构与所述主体一体成形,所述混合结构具有第一腔室与第二腔室,所述第一腔室与所述第二腔室被混合构件隔开,其中所述混合构件是所述主体的单一部件;
两个前驱物递送通口,所述前驱物递送通口形成为穿过所述主体并且耦接所述第一腔室,以用于分别递送至少一种预定流体;
公共出口通口,所述公共出口通口形成为穿过所述主体并且耦接所述第二腔室;以及
至少一个通路,所述通路形成于所述主体中,以使冷却流体得以流过所述混合块件;以及
风扇,所述风扇可经定位以冷却所述混合块件。
8.如权利要求7所述的CVD系统,其特征在于,所述第一腔室与所述第二腔室是由所述混合块件中的同心钻孔所形成,并且所述第一腔室与所述第二腔室被所述混合构件隔开。
9.如权利要求8所述的CVD系统,其特征在于,所述混合构件是材料的腹板。
10.如权利要求9所述的CVD系统,其特征在于,所述材料的腹板具有偏位开口。
11.如权利要求7所述的CVD系统,其特征在于,所述两个前驱物递送通口耦接TEOS源与氧源。
12.如权利要求7所述的CVD系统,其特征在于,所述递送通口经偏位以促进所述第一腔室内的紊流式混合。
13.如权利要求7所述的CVD系统,其特征在于,所述混合块件进一步包含一或多个加热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造