[发明专利]硒化镉多足纳米晶体的制备方法

说明书

背景技术

纳米晶体的支化拓扑结构，尤其是多足(multi-podal)(包括三足和四足)形状，可以潜在地引起与球形纳米颗粒不同的多种有意义的机械、光学/电学以及化学特性，并因此可用于增强聚合物、组装材料以及制造光伏器件。然而，通常采用的用于合成支化纳米晶体的热注射方法(其中将前体溶液快速地引入到加热的有机溶剂中)难以按比例放大用于大量合成纳米晶体。

发明概述

本公开不限于所描述的特定体系、装置和方法，因为这些可以发生变化。本说明书中所用的术语仅用于描述特定形式或实施方式的目的，并且不意欲对本发明的范围进行限定。尽管以“包含”各种不同组分或步骤(解释为“包括，但不限于”的含义)的方式描述了各种不同的组合物和方法，但是所述组合物和方法也可以“基本由”所述各种不同组分和步骤“组成”或“由”所述各种不同组分和步骤“组成”，并且后者应解释为限定了基本上封闭式的成员组。

多种方法描述了其中包含制备多足半导体纳米晶体的新颖且简单方法。在一些实施方式中，描述了制备核壳多足半导体纳米晶体的方法。本文中所描述的非热注射方法可以允许容易地按比例放大用于多足半导体纳米晶体和核壳多足半导体纳米晶体的工业规模生产。

在一种实施方式中，制备半导体纳米晶体的方法可以包括将经脱气的在非配位溶剂中的包含第一金属化合物、第二金属化合物、配体和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述半导体纳米晶体可以是多足半导体纳米晶体并且可以是核壳半导体纳米晶体。

在一种实施方式中，制备多足硒化镉纳米晶体的方法可以包括将经脱气的在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述多足硒化镉纳米晶体可以是四足硒化镉纳米晶体。

在一种实施方式中，制备核壳多足纳米晶体的方法可以包括将经脱气的在第一非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的第一混合物从室温左右加热到约210℃，之后加入在第二非配位溶剂中的包含二甲基二硫代氨基甲酸锌和第一胺的第二混合物、在第三非配位溶剂中的包含乙酸锌和第二胺的第三混合物、以及部分第三胺，并且进一步在约200℃下加热。

在一种实施方式中，制备硫化镉纳米晶体的方法可以包括将经脱气的在石蜡中的包含氧化镉、硫、三辛基膦和油酸的混合物从室温左右加热到约210℃。

在一种实施方式中，制备碲化镉纳米晶体的方法可包括将经脱气的在石蜡中的包含氧化镉、碲、三辛基膦和油酸的混合物从室温左右加热到约210℃。

在一种实施方式中，制备半导体纳米晶体的试剂盒可以包含第一金属化合物、第二金属化合物、配体、羧酸以及第一非配位溶剂；并且可进一步包含二甲基二硫代氨基甲酸锌、第一胺、第二非配位溶剂、乙酸锌、第二胺、第三非配位溶剂以及第三胺。

附图说明

图1示意了根据实施方式的用于制备多足半导体纳米晶体的示例性方法的流程图。

具体实施方式

本文描述了非热注射的、克规模级合成硒化镉多足纳米晶体的方法，所述方法产率高并且其中采用氧化镉和硒粉末直接作为石蜡介质中的反应物。反应物可以为市售可得的，并且可以不需要提前制备前体储备溶液。本文中所描述的方法可以是低成本的、可再现的并且可规模化的。在硒化镉多足纳米晶体的周围沉积硫化锌可以制备多足硒化镉/硫化锌纳米晶体，其可以具有最高达85％的光致发光量子产率。所述非热注射法可用于大规模制备具有多足或其它形态的其它半导体纳米晶体中。