[发明专利]硒化镉多足纳米晶体的制备方法

权利要求书

1.制备半导体纳米晶体的方法，所述方法包括：

将非配位溶剂中的包含第一无机化合物、第二无机化合物、配体和羧酸的混合物在约20℃至约120℃的温度下进行脱气，

其中所述第一无机化合物包含第II周期至第VI周期的元素并且所述第二无机化合物包含第IV周期至第VI周期的元素；以及

加热所述混合物以将所述混合物的温度从脱气温度提高到约160℃至约300℃的温度以制备半导体纳米晶体。

2.权利要求1的方法，其中所述配体包括三辛基膦。

3.权利要求1或2的方法，其中所述羧酸包括蚁酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蔻烯酸、棕榈油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、异油酸、亚油酸、反亚油酸、α-亚麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。

4.权利要求1至3中任一项的方法，其中所述羧酸包含油酸。

5.权利要求1至4中任一项的方法，其中所述非配位溶剂具有约250℃以上的沸点。

6.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述非配位溶剂包含石蜡或十八碳烯。

7.权利要求1至6中任一项的方法，其中所述半导体纳米晶体包含氧化锌、硫化锌、碲化锌、硒化锌、硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化铅或硒化铅。

8.权利要求1至7中任一项的方法，其中所述第一金属化合物包含氧化镉、氧化锌或氧化铅。

9.权利要求1至8中任一项的方法，其中所述第二金属化合物包含硫、硒或碲。

10.权利要求1至9中任一项的方法，其中所述半导体纳米晶体包含多足半导体纳米晶体。

11.权利要求1至10中任一项的方法，其中所述半导体纳米晶体包含四足半导体纳米晶体。

12.权利要求1至11中任一项的方法，还包括在所述半导体纳米晶体的周围沉积壳以制备核壳半导体纳米晶体。

13.权利要求12的方法，其中所述壳与所述核形成I型异质结。

14.权利要求12或权利要求13的方法，其中所述壳包含硫化锌。

15.权利要求12至14中任一项的方法，其中所述壳包含硫化锌和硫化镉。

16.权利要求12至15中任一项的方法，其中所述半导体纳米晶体的光致发光量子产率大于约80％。

17.制备多足硒化镉纳米晶体的方法，所述方法包括：

将在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物在约20℃至约120℃的温度下进行脱气；以及

加热所述混合物以将所述混合物的温度从脱气温度提高到约160℃至约300℃的温度以制备多足硒化镉纳米晶体。

18.权利要求17的方法，其中所述羧酸包括蚁酸、醋酸、氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、草酸、苯甲酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十二烷酸、十四烷酸、十六烷酸、十八烷酸、二十烷酸、肉豆蔻烯酸、棕榈油酸、十六碳烯酸、油酸、反油酸、异油酸、亚油酸、反亚油酸、α-亚麻酸、花生四烯酸、二十碳五烯酸、芥酸或二十二碳六烯酸。

19.权利要求17或权利要求18的方法，其中所述羧酸包含油酸。

20.权利要求17至19中任一项的方法，其中所述非配位溶剂具有约250℃以上的沸点。

21.权利要求17至20中任一项的方法，其中所述非配位溶剂包含石蜡或十八碳烯。

22.权利要求17至21中任一项的方法，其中加热所述混合物以每分钟约4℃至约30℃的速率进行。

23.权利要求17至22中任一项的方法，其中加热所述混合物以每分钟约20℃的速率进行。

24.权利要求17至23中任一项的方法，还包括将所述混合物的温度维持在约190℃至约300℃的温度下约2分钟至约120分钟。