[发明专利]氮化物单晶的制造方法及其使用的高压釜

权利要求书

1.一种氮化物单晶的制造方法，是通过氨热法用原料制造含Ga氮化物单晶的方法，所述原料含有选自由含Ga氮化物多晶、含Ga氮化物及含Ga氮化物前驱体构成的群的至少1种，

所述氮化物单晶的制造方法包含：

向高压釜内至少导入该原料、1种以上的酸性矿化剂和氨后，在满足以下（a）～（e）的条件下，令含Ga氮化物单晶生长：

（a）该高压釜内，存在装载该原料的原料供应部位、和用于令该含Ga氮化物单晶生长的单晶生长部位，

（b）该单晶生长部位是装载晶种的部位，

（c）该单晶生长部位的温度T1为600℃～850℃，

（d）该单晶生长部位的温度T1与该原料供应部位的温度T2之间，存在T1>T2的关系，且

（e）该高压釜内的压力为40MPa～250MPa。

2.一种氮化物单晶的制造方法，是通过氨热法用原料制造含Ga氮化物单晶的方法，所述原料含有选自由含Ga氮化物多晶、含Ga氮化物及含Ga氮化物前驱体构成的群的至少1种，

所述氮化物单晶的制造方法包含：

向高压釜内至少导入该原料、1种以上的酸性矿化剂和氨后，在满足以下（a）～（e）的条件下，令含Ga氮化物单晶生长：

（a）该高压釜内，存在装载该原料的原料供应部位、和用于令该含Ga氮化物单晶生长的单晶生长部位，

（b）该单晶生长部位，是含Ga氮化物单晶通过自发成核而析出及生长的部位，

（c）该单晶生长部位的温度T1为600℃～850℃，

（d）该单晶生长部位的温度T1与该原料供应部位的温度T2之间，存在T1>T2的关系，且

（e）该高压釜内的压力为40MPa～250MPa。

3.根据权利要求1所述的氮化物单晶的制造方法，其中，该晶种是通过权利要求2所述的氮化物单晶的制造方法制造的含Ga氮化物单晶。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的氮化物单晶的制造方法，其中，该原料装载在设置有多个孔或狭缝状缝隙的容器内，且，

在该容器的侧面与该高压釜的内壁之间，存在1mm以上的缝隙。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的氮化物单晶的制造方法，其中，该高压釜为立式高压釜，且该原料供应部位的位置高于该单晶生长部位。

6.根据权利要求5所述的氮化物单晶的制造方法，其中，该原料供应部位位于自该高压釜的内部底面起10mm以上的高度的位置，且，

在该原料供应部位与该高压釜内部底面之间，存在该单晶生长部位。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的氮化物单晶的制造方法，其中，在该原料供应部位与该单晶生长部位之间，配置有至少1个隔板。

8.根据权利要求2及4～7任意一项所述的氮化物单晶的制造方法，其中，该单晶生长部位是含Ga氮化物单晶通过自发成核而析出及生长的部位，且，

在该单晶生长部位配置有具有1个以上的孔的耐腐蚀性的板。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的氮化物单晶的制造方法，其中，该原料含有通过气相法制造的含Ga氮化物多晶。

10.一种基板，由权利要求1～9任意一项所述的氮化物单晶的制造方法所制造的氮化物单晶构成。

11.一种氮化物单晶，由权利要求1～9任意一项所述的氮化物单晶的制造方法所制造，且最大尺寸在1mm以上。

12.一种高压釜，是用于权利要求1～9任意一项所述的氮化物单晶的制造方法的高压釜，

其中，防护部的材料是铱与铂的合金或铱单质，所述防护部是令构成高压釜的2个以上的部件紧密贴合而保持高压釜内的压力的部分，且，该防护部材料的构成元素整体中铱所占的比例为20质量%～100质量%。