[发明专利]材料加热方法无效
申请号: | 201180070921.X | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103732765A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 林甲洙;朴永国;李官炯;林钟协 | 申请(专利权)人: | 现代制铁株式会社 |
主分类号: | C21D1/34 | 分类号: | C21D1/34;F27B9/36 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 韩国仁*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 加热 方法 | ||
1.一种材料加热方法,其包括:
将含硅的碳钢材料提供到加热炉中的步骤;
预热所述材料的步骤;
升高所述材料的温度的第一加热步骤;
降低所述材料的温度以降低所述材料的表面与内部之间的温差的第二加热步骤;
升高所述材料的温度的第三加热步骤;以及
降低所述材料的表面与内部之间的温差的均热处理步骤,
其中在所述加热炉中的所述材料的温度被保持在铁橄榄石的熔点或以下。
2.根据权利要求1所述的材料加热方法,其中所述材料包含0.15wt%至1.2wt%的碳和0.10wt%或以上的硅。
3.根据权利要求1所述的材料加热方法,其中将用于执行所述第一加热步骤的所述加热炉的第一加热区域的温度T1、用于执行所述第二加热步骤的所述加热炉的第二加热区域的温度T2、用于执行所述第三加热步骤的所述加热炉的第三加热区域的温度T3、以及用于执行所述均热处理步骤的所述加热炉的均热处理区域的温度T4设置成满足T2<T4<T3<T1的关系。
4.根据权利要求3所述的材料加热方法,其中所述温度T1在从1,190℃至1,210℃的范围内。
5.根据权利要求3所述的材料加热方法,其中所述温度T2在从1,130℃至1,160℃的范围内。
6.根据权利要求3所述的材料加热方法,其中所述温度T3在从1,170℃至1,190℃的范围内。
7.根据权利要求3所述的材料加热方法,其中所述温度T4在从1,160℃至1,180℃的范围内。
8.根据权利要求3所述的材料加热方法,其中所述温度T1为1,200℃,所述温度T2为1,150℃,所述温度T3为1,180℃,并且所述温度T4为1,170℃。
9.根据权利要求1所述的材料加热方法,其中所述材料的停留时间在从160分钟至230分钟的范围内。
10.根据权利要求1所述的材料加热方法,其中所述第一加热步骤后的所述材料的表面与内部之间的温差ΔT1、所述第二加热步骤后的所述材料的表面与内部之间的温差ΔT2、所述第三加热步骤后的所述材料的表面与内部之间的温差ΔT3、以及所述均热处理步骤后的材料的表面与内部之间的温差ΔT4满足ΔT4<ΔT2且ΔT3<ΔT1的关系。
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