[发明专利]用以间隔件双图案微影的自我对准与非闪存选择栅字线

权利要求书

1.一种用以双图案微影的方法，包括以下步骤：

于光阻图案的周缘设置间隔件图案；

剥除该光阻图案而留下该间隔件图案；

于该间隔件图案的一部分上设置修正掩模；

蚀刻移除未被该修正掩模覆盖的该间隔件图案的部分；

移除该修正掩模，其中，该间隔件图案的第一剩余部分定义多个核心字线；

设置垫掩模以致于该垫掩模及该间隔件图案的第二剩余部分于该多个核心字线的任一侧上定义选择栅字线；以及

使用该垫掩模及该间隔件图案的该第一、第二剩余部分而蚀刻过至少一图案转移层，以蚀刻该选择栅字线及该多个核心字线至多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的用以双图案微影的方法，其中，该至少一图案转移层包括于硬掩模层上的氮氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的用以双图案微影的方法，其中，该间隔件图案围绕着由该光阻图案转移的非晶碳图案而设置。

4.根据权利要求1所述的用以双图案微影的方法，其中，该间隔件图案由氧化与非晶碳层的其中之一所形成。

5.根据权利要求1所述的用以双图案微影的方法，其中，该垫掩模进一步定义焊垫。

6.根据权利要求1所述的用以双图案微影的方法，其中，介于每一个该选择栅字线及该多个核心字线间的距离为相等且依据目标间距而设定。

7.根据权利要求1所述的用以双图案微影的方法，其中，该间隔件图案的厚度为32纳米。

8.一种用以双图案微影的方法，包括以下步骤：

于光阻图案的周缘设置一间隔件图案；

剥除该光阻图案而留下该间隔件图案；

于该间隔件图案上设置自旋碳层；

蚀刻移除该间隔件图案，以致该自旋碳层保留以形成自旋碳图案；

于该自旋碳图案的一部分上设置修正掩模；

蚀刻移除未被该修正掩模覆盖的该自旋碳图案的部分；

移除该修正掩模，其中，该自旋碳图案的第一剩余部分定义多个核心字线，其中，该自旋碳图案的第二剩余部分定义选择栅字线于该多个核心字线的任一侧上，其中，该自旋碳图案的该第一剩余部分也于每一个该选择栅字线及该多个核心字线之间定义虚拟字线；以及

使用该自旋碳图案的该第一、第二剩余部分蚀刻过至少一图案转移层以蚀刻该选择栅字线、该虚拟字线、该多个核心字线至多晶硅层。

9.根据权利要求8所述的用以双图案微影的方法，其中，该至少一图案转移层包括于硬掩模层上的氮氧化硅层。

10.根据权利要求8所述的用以双图案微影的方法，其中，该间隔件图案围绕着由该光阻图案转移的非晶碳图案而设置。

11.根据权利要求8所述的用以双图案微影的方法，其中，该间隔件图案由氧化与非晶碳层的其中之一所形成。

12.根据权利要求8所述的用以双图案微影的方法，其中，介于每一个选择栅字线及该虚拟字线间的距离为相等且依据目标间距而设定。

13.根据权利要求12所述的用以双图案微影的方法，其中，介于选择栅字线及虚拟字线间的距离相等于间隔件图案的厚度的两倍。

14.根据权利要求12所述的用以双图案微影的方法，其中，介于选择栅字线及虚拟字线间的距离不大于间隔件图案的厚度的两倍。

15.根据权利要求8所述的用以双图案微影的方法，其中，该间隔件图案的厚度为32纳米。

16.一种计算机可读取媒体，包括储存于其中的计算机可执行指令，该计算机可执行指令包括：

于光阻图案的周缘设置间隔件图案的指令；

剥除该光阻图案而留下该间隔件图案的指令；

于该间隔件图案的一部分上设置修正掩模的指令；

蚀刻移除未被该修正掩模覆盖的该间隔件图案的部分的指令；

移除该修正掩模的指令，其中，该间隔件图案的第一剩余部分定义多个核心字线；

设置垫掩模以致于该垫掩模及该间隔件图案的第二剩余部分于该多个核心字线的任一侧上定义选择栅字线的指令；以及

使用该垫掩模及该间隔件图案的该第一、第二剩余部分而蚀刻过至少一图案转移层，以蚀刻该选择栅字线及该多个核心字线至多晶硅层的指令。