[发明专利]分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及磁记录介质中的颗粒型磁性薄膜的成膜中使用的溅射靶，并且涉及分散有C粒子的Fe-Pt型强磁性材料溅射靶。

背景技术

在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，使用以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基质的材料。例如，采用面内磁记录方式的硬盘的磁性薄膜中使用以Co为主要成分的Co-Cr型或Co-Cr-Pt型强磁性合金。

另外，在采用近年实用化的垂直磁记录方式的硬盘的磁性薄膜中，通常使用包含以Co为主要成分的Co-Cr-Pt型强磁性合金与非磁性的无机物粒子的复合材料。而且，所述磁性薄膜，从生产率高的观点考虑，通常使用DC磁控溅射装置将以上述材料为成分的溅射靶进行溅射来制作。

另一方面，硬盘的记录密度逐年急速增大，认为将来会从目前的600千兆比特/平方英寸的面密度达到1万亿比特/平方英寸。记录密度达到1万亿比特/平方英寸时，记录比特(bit)的大小低于10nm，此时，可以预计由于热涨落造成超常磁化的问题，并且可以预计现在使用的磁记录介质的材料，例如在Co-Cr基合金中添加Pt而提高晶体磁性各向异性的材料是不充分的。这是因为：以10nm以下的大小稳定地表现出强磁性的磁性粒子，需要具有更高的晶体磁性各向异性。

鉴于上述理由，具有L1₀结构的FePt相作为超高密度记录介质用材料引起关注。另外，L1₀FePt相具有高晶体磁性各向异性，并且耐腐蚀性、耐氧化性优良，因此被期待为适合作为磁记录介质应用的材料。

而且，使用FePt相作为超高密度记录介质用材料时，要求开发以磁隔离的状态尽可能高密度地使正则化的FePt磁性粒子取向对齐地分散的技术。

因此，提出了以氧化物或碳等非磁性材料将具有L1₀结构的FePt磁性粒子隔离的颗粒结构磁性薄膜作为采用热辅助磁记录方式的下一代硬盘的磁记录介质使用。该颗粒结构磁性薄膜的结构是：磁性粒子之间通过非磁性物质的介入而磁绝缘。

作为具有颗粒结构的磁性薄膜的磁记录介质以及与其相关的公知文献，可以列举专利文献1、专利文献2、专利文献3、专利文献4、专利文献5。

作为上述具有L1₀FePt相的颗粒结构磁性薄膜，以10～50%的体积比率含有C作为非磁性物质的磁性薄膜特别地由于其磁特性高而引起关注。这样的颗粒结构磁性薄膜，已知通过将Fe靶、Pt靶、C靶同时溅射、或者通过将Fe-Pt合金靶、C靶同时溅射来制作。但是，为了将这些溅射靶同时溅射，需要高价的同时溅射装置。

另外，一般在利用溅射装置将在合金中含有非磁性材料的溅射靶进行溅射时，存在以下问题：以溅射时非磁性材料的不经意脱离或靶中包含的空隙为起点产生异常放电，从而产生粉粒(附着到衬底上的杂物)。为了解决该问题，需要提高非磁性材料与母材合金的紧密附着性，并且使溅射靶高密度化。一般而言，在合金中含有非磁性材料的溅射靶的材料通过粉末烧结法制作。不过，在Fe-Pt中含有大量C时，由于C为难烧结材料，因此难以得到高密度的烧结体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-306228号公报

专利文献2：日本特开2000-311329号公报

专利文献3：日本特开2008-59733号公报

专利文献4：日本特开2008-169464号公报

专利文献5：日本特开2004-152471号公报

发明内容

本发明的课题在于提供可以在不使用高价的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜的、分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶，并且，本发明的课题在于提供使溅射时产生的粉粒量减少的高密度的溅射靶。

为了解决上述课题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过使作为非磁性材料的C粒子微细且均匀地分散在母材金属中，可以制作高密度的溅射靶。这样制作的溅射靶，可以使粉粒的产生非常少。即，可以提高成膜时的成品率。

基于这样的发现，本发明提供：

1)一种溅射靶，其为原子数的组成比由式(Fe_100-X-Pt_X)_100-A-C_A(其中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在合金中的C粒子，并且相对密度为90%以上。