[发明专利]具有减小的偏振相关损耗的硅基光电集成电路有效
| 申请号： | 201180060347.X | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103403590B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 卡尔潘都·夏斯特里;雷蒙德·纳林格 | 申请（专利权）人： | 思科技术公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 减小 偏振 相关 损耗 光电 集成电路 | ||
1.一种硅基光电电路，形成在硅衬底上并且至少包括光接收组件，该电路包括：
在所述硅衬底中形成的预定长度的光波导，用于接收传入的接收光信号，所述传入的接收光信号表现出横电波(TE)和横磁波(TM)成分两者；以及
毗邻所述光波导部署的光电检测器件，用于捕捉所述接收光信号并将所述接收光信号转换成电等同物，其中所述光波导的所述预定长度被选择成使得与所述接收光信号的TM成分相关联的偏振相关损耗可忽略。
2.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导包括硅纳米锥光波导。
3.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光电电路还包括部署在所述光波导的输入处的透镜状元件。
4.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光电电路还包括用于支持所述传入的接收光信号的传播的光纤，所述光纤的输出耦合到所述光波导的输入。
5.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光电电路还包括用于支持所述传入的接收光信号的传播的平面光波导，所述光纤的输出耦合到所述光波导的输入。
6.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导的所述预定长度被选择为将TM模式损耗限制到小于1dB的值。
7.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导的所述预定长度被选择为将TM模式损耗限制到使对信号变化的可允许系统级容限最大化的水平。
8.如权利要求1中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导和所述光电检测器件由相同材料形成。
9.如权利要求8中限定的硅基光电电路，其中，所述光波导和所述光电检测器件包括锗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于思科技术公司，未经思科技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180060347.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：皮鞋清洁器
- 下一篇：带光学多层膜的玻璃构件和近红外线截止滤光片玻璃
