[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的製造方法，其特征在于，具有下述步驟： 

第1步骤，于衬底上形成第1鳍状硅层与第2鳍状硅层，前述第1鳍状硅层和第2鳍状硅层是于各者的端部连接而形成封闭回路，于前述第1鳍状硅层与第2鳍状硅层的周围形成第1绝缘膜，于前述第1鳍状硅层的上部形成第1柱状硅层，于前述第2鳍状硅层的上部形成第2柱状硅层，前述第1柱状硅层的直径是与前述第1鳍状硅层的宽度相同，前述第2柱状硅层的直径是与前述第2鳍状硅层的宽度相同； 

第2步骤，前述第1步骤后，于前述第1柱状硅层上部、前述第1鳍状硅层上部及前述第1柱状硅层下部植入杂质形成扩散层，于前述第2柱状硅层上部、前述第2鳍状硅层上部及前述第2柱状硅层下部植入杂质形成扩散层； 

第3步骤，前述第2步骤后，作成栅极绝缘膜、第1多晶硅栅极电极、第2多晶硅栅极电极及多晶硅栅极配线，前述栅极绝缘膜覆盖前述第1柱状硅层与前述第2柱状硅层的周围和上部，前述第1多晶硅栅极电极与前述第2多晶硅栅极电极覆盖前述栅极绝缘膜，前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极以及前述多晶硅栅极配线形成后的多晶硅的上表面为较前述第1柱状硅层上部的前述扩散层上的前述栅极绝缘膜与前述第2柱状硅层上部的前述扩散层上的前述栅极绝缘膜更高的位置； 

第4步骤，前述第3步骤后，于前述第1鳍状硅层上部的前述扩散层上部与前述第2鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物； 

第5步骤，前述第4步骤后，沉积层间绝缘膜，露出前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极以及前述多晶硅栅极配线，蚀刻前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极以及前述多晶硅栅极配线后，沉积金属，形成第1金属栅极电极、第2金属栅极电极及金属栅极配线，前述金属栅极配线延伸于与连接于前述第1金属栅极电极和第2金属栅极电极的前述第1鳍状硅层和第2鳍状硅层正交的方向；以及 

第6步骤，前述第5步骤后，形成接触部，前述第1柱状硅层上部的前述扩散层与前述接触部为直接连接，前述第2柱状硅层上部的前述扩散层与前述接触部为直接连接。 

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，于前述第1步骤中，为了于衬底上形成虚拟图案而沉积第2氧化膜，并形成用以形成虚拟图案的第1阻剂，蚀刻前述第2氧化膜，形成虚拟图案，去除前述第1阻剂，沉积第1氮化膜，蚀刻前述第1氮化膜使其 残留为侧壁状，于前述虚拟图案周围形成第1氮化膜侧壁，去除前述虚拟图案，以前述第1氮化膜侧壁作为掩模而蚀刻前述硅衬底，形成在各者的端部连接而形成封闭回路的第1鳍状硅层和第2鳍状硅层，于前述第1鳍状硅层与第2鳍状硅层周围形成第1绝缘膜，去除前述第1氮化膜侧壁，回蚀前述第1绝缘膜，露出前述第1鳍状硅层的上部与前述第2鳍状硅层的上部，以正交于前述第1鳍状硅层与前述第2鳍状硅层的方式形成第2阻剂，蚀刻前述第1鳍状硅层与前述第2鳍状硅层，并去除前述第2阻剂，藉此以使前述第1鳍状硅层与前述第2阻剂正交的部分成为第1柱状硅层的方式形成前述第1柱状硅层，以使前述第2鳍状硅层与前述第2阻剂正交的部分成为前述第2柱状硅层的方式形成第2柱状硅层。 

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，于前述第1步骤后，前述第2步骤中，于第1步骤后的构造全体沉积第3氧化膜，形成第2氮化膜，蚀刻前述第2氮化膜且使其残留为侧壁状，植入杂质，于第1柱状硅层上部、第1鳍状硅层上部、第2柱状硅层上部及第2鳍状硅层上部形成扩散层，去除前述第2氮化膜与前述第3氧化膜，进行热处理。 

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，于前述第2步骤后，前述第3步骤中，以包围硅柱的方式形成栅极绝缘膜，沉积多晶硅，以使平坦化后的前述多晶硅的上表面成为较前述第1柱状硅层上部的扩散层上的前述栅极绝缘膜高且较前述第2柱状硅层上部的扩散层上的前述栅极绝缘膜高的位置的方式进行平坦化，沉积第3氮化膜，形成第1多晶硅栅极电极、第2多晶硅栅极电极、以及用以形成多晶硅栅极配线的第3阻剂，蚀刻前述第3氮化膜，蚀刻前述多晶硅，形成前述第1多晶硅栅极电极和前述第2多晶硅栅极电极及前述多晶硅栅极配线，蚀刻前述栅极绝缘膜，去除前述第3阻剂。 

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，于前述第3步骤后的构造全体，沉积第4氮化膜，蚀刻前述第4氮化膜且使其残留成侧壁状，沉积金属，于第1鳍状硅层和第2鳍状硅层上部的扩散层的上部形成硅化物。