[发明专利]制造柔性的、具有改进的层粘合力的多层电子制品的方法有效

专利信息
申请号: 201180057582.1 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103237644A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: M.埃塞吉尔;J.M.科根;S.S.森古普塔 申请(专利权)人: 陶氏环球技术有限责任公司
主分类号: B29C45/14 分类号: B29C45/14;H02G15/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 吴培善
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 制造 柔性 具有 改进 粘合 多层 电子制品 方法
【权利要求书】:

1.一种制造多层制品的方法,该制品包括两个交联的半导体层,该两个交联的半导体层由绝缘层隔开并粘结至该绝缘层,该半导体层由可过氧化物交联的烯烃弹性体形成和该绝缘层所包括的组合物包括硅烷接枝的烯烃弹性体,该方法包括下列步骤:(A)将该硅烷接枝的烯烃弹性体注入在所述的两个交联的半导体层之间并使之与每个半导体层直接接触,和(B)在没有过氧化物催化剂的情况下来交联该硅烷接枝的烯烃弹性体。

2.权利要求1的方法,其中将所述的硅烷接枝的烯烃弹性体用硅烷醇封端的聚二烷基硅氧烷来改性。

3.权利要求1和2中的任意一项的方法,其中所述的可过氧化物交联的烯烃弹性体是乙烯弹性体。

4.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述包括该硅烷接枝的烯烃弹性体的组合物进一步包括固化催化剂。

5.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述的可过氧化物交联的烯烃弹性体是硅烷接枝的。

6.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述的半导体层没有足够的残留过氧化物来促进制造所述的绝缘层的组合物的交联。

7.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述的半导体层组成上是相同的。

8.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述的半导体层组成上是彼此不同的。

9.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述的绝缘层在环境温度下交联。

10.前述权利要求中的任意一项的方法,其中所述的绝缘层与至少一个的所述的半导体层形成内聚粘结。

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